通过多级异质结构纳米材料构筑微电子器件的方法技术

本发明专利技术于纳米半导体微电子器件技术领域，具体涉及一种利用电纺丝技术并结合水热合成技术制备具有多级异质结构的纳米半导体材料，并用于构筑高性能稳定微电子器件的方法。是以电纺烧结得到的无机氧化物纳米纤维为主干，通过水热反应后续在纤维表面沉积生长无机氧化物纳米棒，获得准一维树枝状多级异质结构的纳米材料，之后组装成场效应晶体管。本发明专利技术制备得到的场效应晶体管具有超高的电子迁移率，并且长寿命及高稳定性远远超过了其它大多数场效应晶体管。如锐钛矿二氧化钛纳米纤维/金红石二氧化钛纳米棒多级结构的场效应晶体管最大电子迁移率可以达到10cm2/Vs以上，随着时间延长和湿度的增大，性能几乎没有出现衰减。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于纳米半导体微电子器件
，具体涉及一种利用电纺丝技术并结合水热合成技术制备具有多级异质结构的纳米半导体材料，并用于构筑高性能稳定微电子器件的方法。
技术介绍
微电子器件由于具有体积小、重量轻、可靠性高、工作速度快、读写密度高等优点， 对信息时代的发展具有巨大的影响。场效应晶体管是当前半导体电子器件中最简单也是最重要的结构单元，是目前被研究最为深入的一种器件。根据材料种类可以分为无机场效应晶体管和有机场效应晶体管，虽然有机场效应晶体管在价格、柔性及器件制作和操作上相比无机场效应晶体管有很大的优势，但是更低的电子迁移率(一般在O.Olcni/Vs以下)成为限制其真正应用与发展的瓶颈。此外，现有的有机和无机场效应晶体管在寿命和稳定性上也是无法满足当前的电子工业需求的，尚需要进一步提高。并且以往的方法有时需要复杂的处理过程，这会增加工艺程度，价格也会升高不利于推广。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种利用电纺丝技术并结合水热合成技术制备具有多级异质结构的纳米半导体材料，并用于构筑高性能稳定微电子器件的方法。准一维微纳米结构由于具有大的比表面积与长径比，因而具备了优异的电本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种通过多级异质结构纳米材料构筑微电子器件的方法，其包括如下步骤：Ａ．将０．３～１ｇ可溶性高分子化合物加入到５～１０ｍｌ溶剂１中，在室温～１００℃条件下搅拌至溶液完全澄清，然后冷却至室温，溶剂１为Ｎ，Ｎ－二甲基甲酰胺、乙醇、水中的一种或几种；Ｂ．将０．２～２．０ｇ可溶性无机盐或可溶性无机氧化物前驱体加入到３～６ｍｌ溶剂２中，干燥条件下剧烈搅拌使其混合均匀；然后将获得的溶液快速加入到步骤Ａ的溶液中，搅拌使两种溶液混合均匀，溶剂２为Ｎ，Ｎ－二甲基甲酰胺、乙醇、乙酸、水中的一种或几种；Ｃ．将步骤Ｂ获得的混合溶液放入静电纺丝设备的玻璃喷丝管中，玻璃喷丝管的管头内径为０．５～３ｍｍ，以铝套为阳极，用...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王策，王兆杰，李振宇，张弘楠，王威，徐秀茹，姜婷婷，
申请(专利权)人：吉林大学，
类型：发明
国别省市：82