纳米图形化和超宽频电磁特性测量系统技术方案

一种纳米图形化和超宽频电磁特性测量系统，包括电源、控制装置和测量装置，所述控制装置与所述测量装置连接，所述控制装置和所述测量装置分别与所述电源连接，所述测量装置包括具有SEM成像或EBL图形化功能的成像装置、真空腔、真空系统、样品台和磁场响应特性测试装置，所述真空系统与所述真空腔连接，所述成像装置、所述样品台及所述磁场响应特性测试装置均设置在所述真空腔内，所述成像装置及所述磁场响应特性测试装置对应于所述样品台设置。本实用新型专利技术可以快速高效地进行纳米材料和器件及其阵列样品的测试与研究，具有广泛的应用领域和市场需求。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种纳米材料及器件的检测装置，特别是一种基于电子束曝光系统/电子束图形发生系统的磁场施加，高频电磁信号产生、引入、传输和测量以及大范围下的纳米定位的纳米图形化和超宽频电磁特性测量系统。
技术介绍
随着纳米加工和检测技术的发展，纳米材料与器件已经广泛应用于包括诸如电子、磁学、化学、生物等多个领域。针对纳米材料和器件的研究，已经成为凝聚态物理以及现代信息技术和工业生产中的核心问题之一。1988年以来，自旋电子学的飞速发展正在逐步将信息科学带入一个包含纳米磁性材料的极高密度磁存储(T-bit/inch2)和纳秒级快速读写的时代，这意味着对纳米材料和器件的研究要进入一个包含纳米微观结构成像、纳米图形化以及GHz高频操作、有磁场或电场参与的综合测量与分析的完备过程。电子束曝光(electron beam lithography，EBL)系统是目前集成纳米结构制备和观测的重要设备之一，包含扫描电子显微镜(SEM)成像功能和电子束图形发生器，即利用聚焦电子束直接在抗蚀剂层上写出纳米图形。根据电子束束斑小和能量高的特点，利用电子束曝光系统可以制得5-10纳米线宽的纳米结构，是制作纳米材料本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：韩秀峰，马勤礼，于国强，刘厚方，余天，周向前，艾金虎，孙晓玉，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，北京汇德信科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：