【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种纳米图形化系统，特别是一种适用于磁电高频特性测量系统中的一种光激发和光探测的纳米图形化系统及其光响应特性检测装置。
技术介绍
导入光纤、光纤发射器、光纤探测器、精密球面镜集合光技术、光学CCD照相技术以及光谱分析方法已经广泛应用于各类工程测量技术中，同时也是高精度物理实验研究重要手段。上述光学仪器和光学实验技术方法在研究物质和光的相互作用以及原子分子的结构中是极为重要的研究手段。基于光学系统，在微米和纳米器件的图形化和测量系统中，需要对微米和纳米图·过程进行跟踪探测，同时在测量过程中，微米和纳米图形化器件的光学性质也能体现和反映该器件的基本物理属性，这样可以对微米和纳米图形化器件进行实时的原位探测。最重要的是，通过光谱分析的方法对微米和纳米图形化材料或器件进行光激发、光吸收、光发射和光电转换特性等方面的测量研究，有望能发现微米和纳米图形化材料或器件的新效应。为了解决以上的问题，在专利号为“201120265595. 5”，名称为“纳米图形化和超宽频电磁特性测量系统”的中国技术专利中公开了在纳米图形化和超宽频电磁特性测量系统中，由光纤导入光束，实...
【技术保护点】
一种纳米图形化系统的光响应特性检测装置，用于纳米图形化系统在微米和纳米图形化器件微加工和探测中，实时和原位探测微米和纳米图形化材料或器件的光响应特性，其特征在于，包括光发射器、导入光纤、光探测器、CCD成像设备和精密传导光纤，所述光发射器通过所述精密传导光纤与所述导入光纤连接，所述光探测器通过所述精密传导光纤与所述CCD成像设备连接，所述导入光纤及所述光探测器均对应于所述纳米图形化系统的样品台设置于所述纳米图形化系统的真空腔内，所述导入光纤用于将所述光发射器发出的光束导入至所述样品台的样品上，所述光探测器用于采集所述样品的反射光，所述光探测器相对于所述导入光纤设置以采集所述样品的反射光。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘盼，郭鹏，于国强，韩秀峰，孙晓玉，周向前，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：实用新型
国别省市：
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