温度传感器芯片校准温度精度的方法技术

本发明专利技术公开了一种温度传感器芯片校准温度精度的方法，设计生产温度传感器芯片，其中包括一校正电路，其半导体带隙电压引起的温度特性曲线为ΔTreal＝AT2+BT+C；确定对称中心温度在温度传感器芯片测试输出温度为对称中心温度Tαc时通过所述校正电路对参数C值进行调整，以改变温度传感器芯片电路的半导体带隙电压引起的温度特性曲线ΔTreal的顶点值ΔTreal_1，使完成对温度传感器芯片校准温度精度。本发明专利技术通过一次温度测试即可达到校准温度传感器芯片最终输出温度精度的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路设计及测试技术，特别涉及一种温度传感器芯片校准 温度精度的方法。
技术介绍
随着集成电路产业的不断发展，以及市场的不断完善，客户对电子产品的要求越 来越高，并且要求价格越来越低；这样，为了能控制成本以及提高效率，要求产品在各个方 面的支出要尽量低，并且不能影响产品的性能，需要传感器芯片的最终成品测试步骤尽量 的简洁，其中单片测试时间不能花费太多，这样便可以控制终测成本。传统，通常是采用三点测温或者两点测温法 来校正温度精度，即等同于两点或者多点确定直线的斜率以及平行偏差，通过调整温度传 感器芯片电路的半导体带隙电压引起的温度特性曲线ATreal = AT2+BT+C中的一次温度系 数B、二次温度系数A，来精确调整温度输出温度曲线与理想等温线的拟合程度，这些方法 虽然精确有效，但是测试成本仍然相对较高。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种，通过 一次温度测试即可达到校准温度传感器芯片最终输出温度精度的目的。为解决上述技术问题，本专利技术的，包括以下 步骤一.设计生产温度传感器芯片，所述温度传感器芯片电路包括一校正电路，所述 温度传感器芯片电路的半导体带隙电压引起的温度特性曲线为= AT2+BT+C，其中一 次温度系数B、二次温度系数A为常数，所述校正电路用于对参数C值进行校正；二 .根据设计生产时确定的所述温度传感器芯片电路的半导体带隙电压引起的 温度特性曲线ATreal =AT2+BT+C中的一次温度系数B、二次温度系数A，确定半导体带隙电 压引起的温度特性曲线的对称中心温度Ta。。，权利要求1.一种，其特征在于，包括以下步骤一.设计生产温度传感器芯片，所述温度传感器芯片电路包括一校正电路，所述温度 传感器芯片电路的半导体带隙电压引起的温度特性曲线为ΔΙ；- = AT2+BT+C，其中一次温 度系数B、二次温度系数A为常数，所述校正电路用于对参数C值进行校正；二.根据设计生产时确定的所述温度传感器芯片电路的半导体带隙电压引起的温度 特性曲线ΔΤ,μ1 =AT2+BT+C中的一次温度系数B、二次温度系数A，确定半导体带隙电压引 起的温度特性曲线的对称中心温度Ta。，τ --Α.ac 2A，三.以该对称中心温度Ta。作为温度传感器芯片校准温度精度的测试输出温度点，在 温度传感器芯片测试输出温度为对称中心温度Tac时通过所述校正电路对参数C值进行 调整，以改变温度传感器芯片电路的半导体带隙电压引起的温度特性曲线ΔΤ-的顶点值4AC-R2Δ Treal ATreal ！ 二 ~-^，使得 Δ Treal 1 = 0； -4Α四.对所述温度传感器芯片校准温度精度结束。2.根据权利要求1所述的，其特征在于，所述温 度传感器芯片为CMOS工艺。全文摘要本专利技术公开了一种，设计生产温度传感器芯片，其中包括一校正电路，其半导体带隙电压引起的温度特性曲线为ΔTreal＝AT2+BT+C；确定对称中心温度在温度传感器芯片测试输出温度为对称中心温度Tαc时通过所述校正电路对参数C值进行调整，以改变温度传感器芯片电路的半导体带隙电压引起的温度特性曲线ΔTreal的顶点值ΔTreal_1，使完成对温度传感器芯片校准温度精度。本专利技术通过一次温度测试即可达到校准温度传感器芯片最终输出温度精度的目的。文档编号G01K15/00GK102116687SQ20101002722公开日2011年7月6日 申请日期2010年1月5日 优先权日2010年1月5日专利技术者孟醒 申请人:上海华虹Nec电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种温度传感器芯片校准温度精度的方法，其特征在于，包括以下步骤：一．设计生产温度传感器芯片，所述温度传感器芯片电路包括一校正电路，所述温度传感器芯片电路的半导体带隙电压引起的温度特性曲线为ΔＴｒｅａｌ＝ＡＴ２＋ＢＴ＋Ｃ，其中一次温度系数Ｂ、二次温度系数Ａ为常数，所述校正电路用于对参数Ｃ值进行校正；二．根据设计生产时确定的所述温度传感器芯片电路的半导体带隙电压引起的温度特性曲线ΔＴｒｅａｌ＝ＡＴ２＋ＢＴ＋Ｃ中的一次温度系数Ｂ、二次温度系数Ａ，确定半导体带隙电压引起的温度特性曲线ΔＴｒｅａｌ的对称中心温度Ｔαｃ，（ｍａｔｈ）??（ｍｒｏｗ）?（ｍｓｕｂ）?（ｍｉ）Ｔ（／ｍｉ）?（ｍｉ）＆ａｌｐｈａ；ｃ（／ｍｉ）?（／ｍｓｕｂ）?（ｍｏ）＝（／ｍｏ）?（ｍｏ）－（／ｍｏ）?（ｍｆｒａｃ）?（ｍｉ）Ｂ（／ｍｉ）?（ｍｒｏｗ）?（ｍｎ）２（／ｍｎ）?（ｍｉ）Ａ（／ｍｉ）?（／ｍｒｏｗ）?（／ｍｆｒａｃ）?（／ｍｒｏｗ）?（／ｍａｔｈ）三．以该对称中心温度Ｔαｃ作为温度传感器芯片校准温度精度的测试输出温度点，在温度传感器芯片测试输出温度为对称中心温度Ｔαｃ时通过所述校正电路对参数Ｃ值进行调整，以改变温度传感器芯片电路的半导体带隙电压引起的温度特性曲线ΔＴｒｅａｌ的顶点值ΔＴｒｅａｌ＿１，（ｍａｔｈ）??（ｍｒｏｗ）?（ｍｉ）＆Ｄｅｌｔａ；（／ｍｉ）?（ｍｓｕｂ）?（ｍｉ）Ｔ（／ｍｉ）?（ｍｒｏｗ）?（ｍｉ）ｒｅａｌ（／ｍｉ）?（ｍｏ）＿（／ｍｏ）?（ｍｎ）１（／ｍｎ）?（／ｍｒｏｗ）?（／ｍｓｕｂ）?（ｍｏ）＝（／ｍｏ）?（ｍｆｒａｃ）?（ｍｒｏｗ）?（ｍｎ）４（／ｍｎ）?（ｍｉ）ＡＣ（／ｍｉ）?（ｍｏ）－（／ｍｏ）?（ｍｓｕｐ）?（ｍｉ）Ｂ（／ｍｉ）?（ｍｎ）２（／ｍｎ）?（／ｍｓｕｐ）?（／ｍｒｏｗ）?（ｍｒｏｗ）?（ｍｎ）４（／ｍｎ）?（ｍｉ）Ａ（／ｍｉ）?（／ｍｒｏｗ）?（／ｍｆｒａｃ）?（ｍｏ），（／ｍｏ）?（／ｍｒｏｗ）?（／ｍａｔｈ）使得ΔＴｒｅａｌ＿１＝０；四．对所述温度传感器芯片校准温度精度结束。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孟醒，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31