本发明专利技术涉及晶片垂直退火的方法，它包括：将晶片放置在片架上，然后将若干个片架摞在一起；将摞在一起的片架放置在托架上，并将它们装入石英帽和石英管内，在石英帽内装入半导体材料，石英管通过焊接点或焊接面焊封在石英帽上，制得晶片垂直放置装置；将上述晶片垂直放置装置竖直地放置在退火炉中；退火开始后，以1-10℃/分钟的速度上升退火炉的炉温，当退火炉的炉温达到晶片材料0.5-0.8倍的晶片材料熔点温度时，保温4-18个小时，然后再以1-10℃/分钟的速度降低退火炉的炉温一直达到室温为止；将石英帽或/和石英管锯开取出晶片，完成了晶片的退火，本发明专利技术晶片垂直退火方法保证了每片晶片退火的温度均匀，提高了晶片成品率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及了一种晶片垂直退火的方法及其装置，特别是涉及了一种用于半导体 晶片退火的方法及其装置。
技术介绍
在现有的晶片生产中，晶片通常是水平地放置在退火炉中进行退火，并且晶片由 两个点支撑在晶片垂直放置装置上。这样，由于一片晶片位于退火炉的不同高度上，而退火 炉在不同的高度上有着不同的温度，因此晶片的水平放置使一片晶片位于退火炉的不同温 度区域，导致晶片的退火不均勻，严重影响了晶片的生产质量，增加了晶片的生产成本。
技术实现思路
本专利技术的专利技术目的在于解决现有晶片生产过程中退火不均勻的问题，而提供一种 晶片垂直退火的方法及其装置。为了完成本专利技术的技术方案，本专利技术采用以下技术方案本专利技术的一种晶片垂直退火的方法，其特征在于它包括以下步骤(1)将晶片放置在片架上，然后将若干个片架摞在一起；(2)将摞在一起的片架放置在托架上，并将它们装入石英帽和石英管内，在石英 帽内装入半导体材料，石英管通过焊接点或焊接面焊封在石英帽上，制得晶片垂直放置装 置；(3)将上述晶片垂直放置装置竖直地放置在退火炉中；(4)退火开始后，以1-10°C /分钟的速度上升退火炉的炉温，当退火炉的炉温达到 晶片材料0. 5-0. 8倍的晶片材料熔点温度时，保温4-18个小时，然后再以l-10°c /分钟的 速度降低退火炉的炉温一直达到室温为止；(5)将石英帽或/和石英管锯开取出晶片，完成了晶片的退火；本专利技术的一种晶片垂直退火的方法，其中所述半导体材料为纯度是99. 999%的 锗、硅、磷或砷；本专利技术的一种晶片垂直放置装置，其中它包括石英管、片架、晶片、托架和石英 帽，晶片放置在片架上，若干个装有晶片的片架竖直摞在一起地放置在托架上，石英帽装在 托架的下端，装有晶片的片架、托架和石英帽的一部分焊封在石英管内；本专利技术的一种晶片垂直放置装置，其中所述石英管通过焊接点或焊接面焊封在 石英帽上；本专利技术的一种晶片垂直放置装置，其中所述石英帽装有半导体材料；本专利技术的一种晶片垂直放置装置，其中所述半导体材料为纯度是99. 999%的 锗、硅、磷或砷；本专利技术的一种晶片垂直放置装置，其中所述片架和托架是由石英或石墨制成的。本专利技术的晶片垂直退火的方法和装置与现有的方法和装置相比，本专利技术的晶片垂3直放置在退火炉中，保证了每片晶片退火的温度均勻，提高了晶片的成品率，降低了晶片的 生产成本。附图说明图1为装在退火炉中的本专利技术晶片垂直放置装置的正向剖面示意图；图2为晶片和片架相互摞在一起的正向放大的剖面示意图，为了简化起见，该图 只画了三个片架摞在一起的状态，实际上可以为若干个片架摞在一起。图1至图2中，标号1为退火炉，标号2为石英管，标号3为片架，标号4为晶片， 标号5为托架，标号6为石英帽，标号7为焊接点或焊接面，标号8为半导体材料。具体实施例方式如图1所示，本专利技术一种晶片垂直退火的方法包括以下步骤(1).将晶片4放置在片架3上，然后将若干个片架3摞在一起；(2).将摞在一起的片架3放置在托架5上，并将它们装入石英帽6和石英管2内， 在石英帽6内装入纯度是99. 999%的锗、硅、磷或砷的半导体材料8，石英管2通过焊接点 或焊接面7焊封在石英帽6上，制得晶片垂直放置装置；(3).将上述晶片垂直放置装置竖直地放置在退火炉1中；(4).退火开始后，以1-10°C /分钟的速度上升退火炉的炉温，当退火炉的炉温达 到晶片材料0. 5-0. 8倍的晶片材料熔点温度时，保温4-18个小时，然后再以1-10°C /分钟 的速度降低退火炉的炉温一直达到室温为止；(5).将石英帽6或/和石英管锯开取出晶片4，完成了晶片4的退火。如图1和图2所示，本专利技术的晶片垂直放置装置包括石英管2、片架3、晶片4、托 架5和石英帽6，晶片4放置在片架3上，若干个装有晶片4的片架3竖直摞在一起地放置 在托架5上，石英帽6装在托架5的下端，装有晶片4的片架3、托架5和石英帽6的一部分 通过焊接点或焊接面7焊封在石英管2内。石英帽6装有纯度是99. 999 %的锗、硅、磷或砷 的半导体材料8。片架3和托架5是由石英或石墨制成的。以上实施例只是对本专利技术的解释，不是对专利技术的限定，本专利技术所限定的范围参见 权利要求，在不违背本专利技术的精神的情况下，本专利技术可以作任何形式的修改。权利要求1.一种晶片垂直退火的方法，其特征在于它包括以下步骤(1)将晶片(4)放置在片架C3)上，然后将若干个片架C3)摞在一起；(2)将摞在一起的片架( 放置在托架( 上，并将它们装入石英帽(6)和石英管(2) 内，在石英帽(6)内装入半导体材料(8)，石英管( 通过焊接点或焊接面(7)焊封在石英 帽(6)上，制得晶片垂直放置装置；(3)将上述晶片垂直放置装置竖直地放置在退火炉(1)中；(4)退火开始后，以1-10°C/分钟的速度上升退火炉的炉温，当退火炉的炉温达到晶片 材料0. 5-0. 8倍的晶片材料熔点温度时，保温4-18个小时，然后再以1-10°C /分钟的速度 降低退火炉的炉温一直达到室温为止；(5)将石英帽(6)或/和石英管⑵锯开取出晶片0)，完成了晶片⑷的退火。2.如权利要求1所述的晶片垂直退火的方法，其特征在于所述半导体材料(8)为纯 度是99. 999%的锗、硅、磷或砷。3.一种晶片垂直放置装置，其特征在于它包括石英管O)、片架(3)、晶片、托架 (5)和石英帽(6)，晶片(4)放置在片架(3)上，若干个装有晶片(4)的片架(3)竖直摞在 一起地放置在托架( 上，石英帽(6)装在托架( 的下端，装有晶片(4)的片架(3)、托架 (5)和石英帽(6)的一部分焊封在石英管O)内。4.如权利要求3所述的晶片垂直放置装置，其特征在于所述石英管(2)通过焊接点 或焊接面(7)焊封在石英帽(6)上。5.如权利要求4所述的晶片垂直放置装置，其特征在于所述石英帽(6)装有半导体 材料⑶。6.如权利要求5所述的晶片垂直放置装置，其特征在于所述半导体材料(8)为纯度 是99. 999%的锗、硅、磷或砷。7.如权利要求3至6任一个权利要求所述的晶片垂直放置装置，其特征在于所述片 架C3)和托架( 是由石英或石墨制成的。全文摘要本专利技术涉及晶片垂直退火的方法，它包括将晶片放置在片架上，然后将若干个片架摞在一起；将摞在一起的片架放置在托架上，并将它们装入石英帽和石英管内，在石英帽内装入半导体材料，石英管通过焊接点或焊接面焊封在石英帽上，制得晶片垂直放置装置；将上述晶片垂直放置装置竖直地放置在退火炉中；退火开始后，以1-10℃/分钟的速度上升退火炉的炉温，当退火炉的炉温达到晶片材料0.5-0.8倍的晶片材料熔点温度时，保温4-18个小时，然后再以1-10℃/分钟的速度降低退火炉的炉温一直达到室温为止；将石英帽或/和石英管锯开取出晶片，完成了晶片的退火，本专利技术晶片垂直退火方法保证了每片晶片退火的温度均匀，提高了晶片成品率。文档编号C30B33/02GK102080264SQ20091023794公开日2011年6月1日 申请日期2009年11月26日 优先权日2009年11月26日专利技术者卜俊鹏, 张生国, 朱蒙 申请人:中科晶电信息材料(北京)有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种晶片垂直退火的方法，其特征在于：它包括以下步骤：（１）将晶片（４）放置在片架（３）上，然后将若干个片架（３）摞在一起；（２）将摞在一起的片架（３）放置在托架（５）上，并将它们装入石英帽（６）和石英管（２）内，在石英帽（６）内装入半导体材料（８），石英管（２）通过焊接点或焊接面（７）焊封在石英帽（６）上，制得晶片垂直放置装置；（３）将上述晶片垂直放置装置竖直地放置在退火炉（１）中；（４）退火开始后，以１－１０℃／分钟的速度上升退火炉的炉温，当退火炉的炉温达到晶片材料０．５－０．８倍的晶片材料熔点温度时，保温４－１８个小时，然后再以１－１０℃／分钟的速度降低退火炉的炉温一直达到室温为止；（５）将石英帽（６）或／和石英管（２）锯开取出晶片（４），完成了晶片（４）的退火。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：卜俊鹏，朱蒙，张生国，
申请(专利权)人：中科晶电信息材料北京有限公司，
类型：发明
国别省市：11
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