【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种ZnO稀磁半导体材料的制备，特别是涉及一种具有室 温铁磁性的狗掺杂ZnO稀磁半导体纳米颗粒的制备方法。
技术介绍
长期以来，以半导体材料为支撑的大规模集成电路和高频器件在信息 处理和传输中扮演着十分重要的角色，在这些技术中信息的载体是电子的电荷，系统的状 态以电荷的存在或消失来表征；而在信息技术中的信息存储(如磁带、光盘、硬盘等)则是 由铁磁性材料来完成的，它们利用的是电子的自旋属性。一直以来，对于电子电荷及自旋 属性的研究和应用都是平行发展的，彼此之间相互独立。如今，信息技术的不断发展，使传 统器件的运行速度和存储密度越来越接近其理论极限，人们正致力于探索新的信息处理机 制，方向就是自旋电子学。随着自旋电子学的不断发展，稀磁半导体走入了人们的视线。它将自旋和电荷两 个自由度集于同一基体，同时具备了磁性材料和半导体材料的特性，可利用载流子控制技 术产生磁性，有着半导体的电子能带结构，而且晶格常数也与一般半导体类似，因此在制造 电子器件时能够和一般半导体进行良好接触。而要使稀磁半导体材料得以应用就要求材料 的居里温度必须接近或高于室温，因此制备具...
【技术保护点】
一种具有室温铁磁性的Ｆｅ掺杂ＺｎＯ稀磁半导体纳米颗粒的制备，其特征在于：它以硝酸铁［Ｆｅ（ＮＯ↓［３］）↓［３］·９Ｈ↓［２］Ｏ］、硝酸锌［Ｚｎ（ＮＯ↓［３］）↓［２］·６Ｈ↓［２］Ｏ］、柠檬酸［Ｃ↓［６］Ｈ↓［８］Ｏ↓［７］］为原料，经溶胶、凝胶、预烧结、研磨、烧结的顺序工艺步骤进行。
【技术特征摘要】
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