【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种温度检测电路。
技术介绍
传统的温度传感器的结构复杂，如图1所示，由偏置电流发生器提供一个偏置电 流，然后由带隙温度传感器采集温度信息，再通过模数转换器对温度信息进行转换，之后再 采用精准电路技术和校准技术对温度信息数据进行处理。这通常需要以下几个步骤实现1、对于环境温度的检测电压；2、相对精准的带隙基准电压；3、将检测电压和带隙基准电压通过ADC电路进行数字处理，产生代表绝对温度的 二进制代码；4、摄氏温度与绝对温度的转换。以上功能实现了对于环境温度的精确检测，但对于整体架构以及具体电路的实现 相对复杂；同时，在温度检测的某些实际应用中，要求对系统正常工作的环境温度范围进行 判断，不需要对环境温度的绝对值进行精准检测。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种温度检测电路，采用简单的电路结构，准 确的对温度范围进行检测。为解决上述技术问题，本专利技术温度检测电路的技术方案是，包括四个源极连接电 源端，且栅极相互连接在一起的PMOS管，其中第一 PMOS管与第二 PMOS管的漏极分别连接 到一个双端输入、单端输出的运算放大器的两个输入...
【技术保护点】
１．一种温度检测电路，其特征在于，包括四个源极连接电源端，且栅极相互连接在一起的ＰＭＯＳ管，其中第一ＰＭＯＳ管与第二ＰＭＯＳ管的漏极分别连接到一个双端输入、单端输出的运算放大器的两个输入端，所述运算放大器的输出端连接到所述第一ＰＭＯＳ管和第二ＰＭＯＳ管的栅极，所述第一ＰＭＯＳ管的漏极连接到第一ＰＮＰ管的发射极，所述第二ＰＭＯＳ管的漏极通过一个电阻连接到第二ＰＮＰ管的发射极，所述第一、第二ＰＮＰ管的基极和集电极都接地；第三ＰＭＯＳ管的漏极通过温度传感器电阻接地，在所述温度传感器电阻上电压由高到底分别引出第一抽头和第二抽头；第四ＰＭＯＳ管的漏极连接到第三ＰＮＰ管的发射极，所述第...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王梓，唐成伟，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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