EEPROM器件的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种EEPROM器件的制作方法，其中依次包括有如下步骤：首先，生长一层高压井注入的牺牲氧化层，形成高压井注入；然后，去除该牺牲氧化层，生长高压栅氧化层、形成隧穿窗口；之后，淀积浮栅，在逻辑区刻蚀掉浮栅，再淀积ONO介质层，在逻辑区刻蚀掉ONO；最后，生长5V栅氧化层，作为低压井注入的牺牲氧化层，形成低压井注入，并制作低压器件。本发明专利技术通过上述方法，将高低压井注入放在高压栅氧生长后进行，避免了低压器件的沟道注入受到高压栅氧生长的影响而耗尽，从而增强了低压器件的阈值电压可调节性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体存储器的制作方法，尤其是一种EEPROM器件的制作方法。
技术介绍
在嵌入式EEPROM工艺中，需要多种器件实现各种功能在0. 18um工艺中，1. 8V作 为逻辑器件，5V作为输入输出端口器件，18V作为实现EEPROM操作的高压器件。集成不同 电压的器件和EEPROM存储器件是嵌入式存储器工艺的重大挑战。传统的嵌入式EEPROM工艺，高低压井注入利用同一牺牲氧化层。牺牲氧化层在井 注入结束后去除，然后分别生长高压栅氧，形成隧穿窗口、浮栅以及ONO (氧化硅/氮化硅/ 氧化硅)介质层，最后形成逻辑低压器件的栅氧化层。这种方式会使低压器件的沟道注入 受到高压栅氧生长的影响而耗尽，导致低压器件的阈值电压难以调节，最终使得器件失效。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种EEPROM器件的制作方法，能够采用简单 便捷的步骤，避免EEPROM器件的制作工艺中高压井注入和低压井注入相互之间的影响，提 高器件的可靠性。为解决上述技术问题，本专利技术EEPROM器件的制作方法的技术方案是，其中依次包 括有如下步骤首先，生长一层高压井注入的牺牲氧化层，形成高压井注入；然后，去除该牺牲氧化层，生长高压栅氧化层、形成隧穿窗口 ；之后，淀积浮栅，在逻辑区刻蚀掉浮栅，再淀积ONO介质层，在逻辑区刻蚀掉ONO ；最后，生长5V栅氧化层，作为低压井注入的牺牲氧化层，形成低压井注入，并制作 低压器件。本专利技术通过上述方法，将高低压井注入放在高压栅氧生长后进行，避免了低压器 件的沟道注入受到高压栅氧生长的影响而耗尽，从而增强了低压器件的阈值电压可调节 性。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步详细的说明图1为本专利技术中生长高压井注入的牺牲氧化层的示意图；图2为本专利技术中生长高压栅氧化层、形成隧穿窗口的示意图；图3为本专利技术中刻蚀掉ONO介质层之后的示意图；图4为本专利技术中生长5V栅氧化层作为低压井注入的牺牲氧化层的示意图。具体实施例方式本专利技术提供了一种EEPROM器件的制作方法，如图1 图4所示，其中依次包括有如下步骤首先，生长一层高压井注入的牺牲氧化层，形成高压井注入；然后，去除该牺牲氧化层，生长高压栅氧化层、形成隧穿窗口 ；之后，淀积浮栅，在逻辑区刻蚀掉浮栅，再淀积ONO介质层，在逻辑区刻蚀掉ONO ；最后，生长5V栅氧化层，作为低压井注入的牺牲氧化层，形成低压井注入，并制作 低压器件。所述高压井注入的牺牲氧化层的厚度为100A。所述高压栅氧化层的厚度为300A。所述浮栅的厚度为1500A。本专利技术通过上述方法，将高低压井注入放在高压栅氧生长后进行，避免了低压器 件的沟道注入受到高压栅氧生长的影响而耗尽，从而增强了低压器件的阈值电压可调节 性。权利要求1.一种EEPROM器件的制作方法，其特征在于，其中依次包括有如下步骤 首先，生长一层高压井注入的牺牲氧化层，形成高压井注入；然后，去除该牺牲氧化层，生长高压栅氧化层、形成隧穿窗口 ； 之后，淀积浮栅，在逻辑区刻蚀掉浮栅，再淀积ONO介质层，在逻辑区刻蚀掉ONO ； 最后，生长5V栅氧化层，作为低压井注入的牺牲氧化层，形成低压井注入，并制作低压 器件。2.根据权利要求1所述的EEPROM器件的制作方法，其特征在于，所述高压井注入的牺 牲氧化层的厚度为100Λ。3.根据权利要求1所述的EEPROM器件的制作方法，其特征在于，所述高压栅氧化层的 厚度为300人。4.根据权利要求1所述的EEPROM器件的制作方法，其特征在于，所述浮栅的厚度为 1500Ao全文摘要本专利技术公开了一种EEPROM器件的制作方法，其中依次包括有如下步骤首先，生长一层高压井注入的牺牲氧化层，形成高压井注入；然后，去除该牺牲氧化层，生长高压栅氧化层、形成隧穿窗口；之后，淀积浮栅，在逻辑区刻蚀掉浮栅，再淀积ONO介质层，在逻辑区刻蚀掉ONO；最后，生长5V栅氧化层，作为低压井注入的牺牲氧化层，形成低压井注入，并制作低压器件。本专利技术通过上述方法，将高低压井注入放在高压栅氧生长后进行，避免了低压器件的沟道注入受到高压栅氧生长的影响而耗尽，从而增强了低压器件的阈值电压可调节性。文档编号H01L21/266GK102110655SQ20091020202公开日2011年6月29日 申请日期2009年12月24日 优先权日2009年12月24日专利技术者陈昊瑜 申请人:上海华虹Nec电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＥＥＰＲＯＭ器件的制作方法，其特征在于，其中依次包括有如下步骤：首先，生长一层高压井注入的牺牲氧化层，形成高压井注入；然后，去除该牺牲氧化层，生长高压栅氧化层、形成隧穿窗口；之后，淀积浮栅，在逻辑区刻蚀掉浮栅，再淀积ＯＮＯ介质层，在逻辑区刻蚀掉ＯＮＯ；最后，生长５Ｖ栅氧化层，作为低压井注入的牺牲氧化层，形成低压井注入，并制作低压器件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈昊瑜，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31