太阳能电池、太阳能电池的制造方法和测试方法技术

技术编号:6985186 阅读:176 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种太阳能电池、一种太阳能电池的制造方法和一种测试方法。本发明专利技术的太阳能电池(1)包括半导体衬底(10)和在迎光面侧布置于所述半导体衬底(10)的正面表面(11)的抗反射层(2),所述抗反射层沿所述抗反射层(2)的层厚具有小于10伏、小于5伏或者小于3伏的极限电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种太阳能电池、一种太阳能电池的制造方法和一种测试方法。
技术介绍
目前最有效的太阳能组件由许多单个的太阳能电池构成,这些太阳能电池借助所谓的电池连接器相连成串。这些电池串上覆有塑料膜,嵌入在框架内,并被玻璃板盖住,以免受到环境因素的影响。此外,这种太阳能组件沿其太阳能电池背面被背膜封装起来。也就是说,入射光先穿过玻璃板,再穿过塑料膜,然后才到达太阳能电池正面。该塑料膜一般由乙烯乙酸乙烯酯(EVA)构成。另外,太阳能电池上通常涂覆有用来抑制入射光发生背反射的抗反射层,因此,这个抗反射层的层表面紧贴塑料膜布置。当一个由一或多个太阳能组件构成的太阳能组件串中的太阳能组件工作时,太阳能电池和框架之间会形成电位。如果太阳能组件中的太阳能电池采用串联连接,太阳能电池和框架之间的电位就会沿着该串联线路上升。工业上针对这个电位提出的限值通常约为 1000伏,也即,沿该串联线路允许存在1000伏左右的电位,而且上述背膜一般也是为此设计的。如果其中一个太阳能电池相对于框架具有负电位或正电位,玻璃板和塑料膜中就相应会有正离子(例如钠离子、钙离子或镁离子)或负离子(例如氢氧根离子)沿电场本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池(1),包括半导体衬底(10)和在迎光面侧布置于所述半导体衬底(10)的正面表面(11)的抗反射层(2),所述抗反射层沿所述抗反射层(2)的层厚具有小于10伏、小于5伏或者小于3伏的极限电压。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:马提亚斯·军格内鲁安德雷斯·库克斯马汀·沙德鲁马克西米利安·舍夫
申请(专利权)人:Q电池欧洲公司
类型:发明
国别省市:DE

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