【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路技术，尤其涉及一种SRAM存储器。
技术介绍
SRAM(Static RAM)，即静态随机存储器，它由晶体管组成。对于晶体管而言，接通代表1，断开表示0，并且状态会保持到接收了一个改变信号为止。这些晶体管不需要刷新， 但停机或断电时，它们同动态的随机存储器一样，会丢掉信息。SRAM的速度非常快，通常能以20ns或更快的速度工作。一个动态随机存储器的存储单元仅需一个晶体管和一个小电容.而每个SRAM单元则需要四到六个晶体管和其他零件。图1为现有技术的6T (即6个晶体管)结构的SRAM存储单元。其中PI、P2代表两个P型MOS管，Nl、N2、N3、N4代表四个N型MOS管。其中札表示字线信号，BL表示位线信号，NBL表示位线非信号，Q和NQ表示存储节点。MOS管N3和N4的栅极与字线信号WL 连接，漏极分别与位线信号BL、位线非信号NBL连接，源极分别与存储节点Q、NQ连接。MOS 管Pl和Ni、P2和N2分别构成反相器，用以锁存存储节点Q与NQ的数据。在6T结构的SRAM存储单元待机(standby)状态下，字线信号WL无效，位线信号 B...
【技术保护点】
１．一种ＳＲＡＭ存储器，包括由第一至第六Ｐ型ＭＯＳ管（Ｐ１－Ｐ６）、第一至第四Ｎ型ＭＯＳ管（Ｎ１－Ｎ４）构成的存储单元，其中所述第一Ｐ型ＭＯＳ管（Ｐ１）的栅极与所述第二Ｎ型ＭＯＳ管（Ｎ２）的漏极连接于第二存储节点（ＮＱ），所述第二Ｐ型ＭＯＳ管（Ｐ２）的栅极与所述第一Ｎ型ＭＯＳ管（Ｎ１）的漏极连接于第一存储节点（Ｑ）；所述第一Ｐ型ＭＯＳ管（Ｐ１）的源极与所述第二Ｐ型ＭＯＳ管（Ｐ２）的源极均连接高电源电平；所述第一Ｐ型ＭＯＳ管（Ｐ１）的漏极与所述第五Ｐ型ＭＯＳ管（Ｐ５）的源极连接于第一访问节点（Ａ），所述第二Ｐ型ＭＯＳ管（Ｐ２）的漏极与所述第六Ｐ型ＭＯＳ管（Ｐ６）的源极连接于第...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：闫浩，王东辉，洪缨，侯朝焕，
申请(专利权)人：中国科学院声学研究所，
类型：发明
国别省市：11
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