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本发明公开了一种SRAM存储器，包括由第一至第六P型MOS管(P1-P6)、第一至第四N型MOS管(N1-N4)构成的存储单元。所述第三P型MOS管(P3)和第四P型MOS管(P4)的栅极均与字线非信号相连，所述第三P型MOS管(P3)通过...
该专利属于中国科学院声学研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院声学研究所授权不得商用。

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