【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及温度测量技术,尤其涉及一种测温装置及测温系统。
技术介绍
在进行 PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor D印osition,等离子体增强化学气相沉积)工艺之前,往往需要先对即将进行工艺的基片进行加热;在所述基片的温度达到PECVD工艺所需的温度时,才能进行相应的工艺操作。具体地,PECVD系统包括装载台、装载腔、工艺腔、卸载腔和卸载台。基片在装载台区域被装载到载板上,之后被送入装载腔,经由装载腔中的预热模块进行预热处理;当基片达到工艺温度要求后被传送至工艺腔中的工艺模块进行PECVD工艺;最后,将完成了 PECVD工艺的基片通过卸载腔、卸载台传出整个系统。其中,在工艺腔中进行PECVD工艺的同时,还需要对基片加热从而使所述基片的温度保持在一定温度范围内以便顺利完成沉积工艺。不管是在装载腔还是在工艺腔,都是通过对载板进行加热进而调节放置于该载板上的基片的温度;因此,在进行PECVD工艺的整个过程中,需要实时地测量所述载板的温度以保证所述基片处于一个恒温的环境中。由于载板是需要传输的,因此很难将测温装置固定在所述 ...
【技术保护点】
1.一种测温装置,其特征在于,包括热电偶、以及带动所述热电偶移动的动力装置;其中,所述热电偶通过连接杆固定到所述动力装置上;所述连接杆的一端设有所述热电偶,其另一端固定到所述动力装置上;在进行温度测量时,所述动力装置通过所述连接杆带动所述热电偶移动,使所述热电偶与待测物体接触以进行温度测量。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:蒲春,
申请(专利权)人:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司,
类型:发明
国别省市:11
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