照相机组件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种照相机组件及其制造方法，该照相机组件的制造方法具备：准备图像传感器的步骤；准备第1构件的步骤，所述第1构件具备第1非导体、覆盖第1非导体的第1金属膜、和覆盖第1金属膜的第1绝缘膜；准备第2构件的步骤，所述第2构件具备第2非导体、覆盖第2非导体的第2金属膜、和覆盖第2金属膜的第2绝缘膜；将第1构件配置在图像传感器上的步骤；将第2构件配置在第1构件上或者上方的步骤；对第1构件与第2构件之间或者图像传感器与第2构件之间施加规定的电压，使第1绝缘膜和第2绝缘膜中的至少一部分破坏的步骤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
作为照相机组件的部件材质，可以采用例如由非导体(塑料)形成的部件。并且， 有时需要对该部件进行相对于EMC、ESD等的对策。作为该对策，对该部件实施金属蒸镀，将该部件的电阻值控制在恒定的电阻值之内。但是，有时在照相机组件中采用多个这样的部件。并且，有时在被金属蒸镀的各部件的表面上形成了氧化膜。这样，各部件的连接部分存在上述氧化膜，因此，存在各部件的连接部分的电阻值提高这样的问题。因此，难以形成降低了电阻值的照相机组件。
技术实现思路
本专利技术所要解决的课题在于提供一种能够降低电阻值的。本专利技术的实施方式的照相机组件的制造方法具备准备图像传感器的步骤；准备第1构件的步骤，所述第1构件具备第1非导体、覆盖上述第1非导体的第1 金属膜、和覆盖上述第1金属膜的第1绝缘膜；准备第2构件的步骤，所述第2构件具备第2非导体、覆盖上述第2非导体的第2 金属膜、和覆盖上述第2金属膜的第2绝缘膜；将上述第1构件配置在上述图像传感器上的步骤；将上述第2构件配置在上述第1构件上或者上方的步骤；和对上述第1构件与上述第2构件之间或者上述图像传感器与第2构件之间施加规定的电压，使上述第1绝缘膜和第2绝缘膜中的至少一部分破坏的步骤。本专利技术的另一实施方式的照相机组件具备图像传感器；第1构件，其被配置在上述图像传感器上，具备第1非导体、覆盖上述第1非导体的第1金属膜、和覆盖上述第1金属膜的第1绝缘膜；和第2构件，其被配置在上述第1构件上或者上方，且与上述第1构件电连接，具备第2非导体、覆盖上述第2非导体的第2金属膜、和覆盖上述第2金属膜的第2绝缘膜，上述第1绝缘膜和上述第2绝缘膜中的一部分被破坏。根据上述结构的，能够降低电阻值。附图说明图IA是示意性地表示实施方式的照相机组件的基本结构的立体图，图IB是图IA 的图像传感器保护部与透镜保护部的边界的剖视图。图2是示意性地表示实施方式的照相机组件的基本制造方法的图。图3是示意性地表示实施方式的照相机组件的基本制造方法的立体图。图4A是示意性地表示实施方式的照相机组件的基本制造方法的立体图，图4B是局部地表示图4A的层叠构造的剖视图。图5是示意性地表示实施方式的照相机组件的基本制造方法的立体图。图6是示意性地表示实施方式的照相机组件的基本制造方法的立体图。图7A是示意性地表示实施方式的照相机组件的基本制造方法的立体图，图7B是局部地表示图7A的层叠构造的剖视图。图8是示意性地表示实施方式的照相机组件的基本制造方法的立体图。图9A是示意性地表示实施方式的照相机组件的基本制造方法的立体图，图9B是图9A的图像传感器保护部与透镜保护部的边界的剖视图。图10是示意性地表示实施方式的照相机组件的基本制造方法的立体图。图11是示意性地表示实施方式的照相机组件的基本结构的其他例子的立体图。图12A是示意性地表示变形例的照相机组件的基本结构的立体图，图12B是图12A 的第1透镜保护部与第2透镜保护部的边界的剖视图，图12C是图12A的图像传感器保护部与第1透镜保护部的边界的剖视图。图13A是示意性地表示变形例的照相机组件的基本制造方法的立体图，图1 是局部地表示图13A的层叠构造的剖视图。图14A是示意性地表示变形例的照相机组件的基本制造方法的立体图，图14B是局部地表示图14A的层叠构造的剖视图。图15是示意性地表示变形例的照相机组件的基本制造方法的立体图。图16A是示意性地表示变形例的照相机组件的基本制造方法的立体图，图16B是图16A的第1透镜保护部与第2透镜保护部的边界的剖视图，图16C是图16A的图像传感器保护部与第1透镜保护部的边界的剖视图。具体实施例方式通常，根据本专利技术的1个实施方式，照相机组件的制造方法具备准备图像传感器的步骤；准备第1构件的步骤，所述第1构件具备第1非导体、覆盖第1非导体的第1金属膜和覆盖第1金属膜的第1绝缘膜；准备第2构件的步骤，所述第2构件具备第2非导体、 覆盖第2非导体的第2金属膜和覆盖第2金属膜的第2绝缘膜；将第1构件配置在图像传感器上的步骤；将第2构件配置在第1构件上或者上方的步骤；对第1构件与第2构件之间或者图像传感器与第2构件之间施加规定的电压，使第1绝缘膜和第2绝缘膜中的至少一部分破坏的步骤。下面，参照附图说明实施方式的详细内容。(实施方式)采用图1A、1B来概略地说明本实施方式的照相机组件的基本结构。图IA是示意性地表示本实施方式的照相机组件的基本结构的立体图，图IB是图IA的图像传感器保护部与透镜保护部的边界的剖视图。该照相机组件例如可用于将其作为图像输入设备而在摄像部中使用的诸如带照相机的便携式电话装置、视频电话装置等电子信息设备中。如图1A、1B所示，照相机组件包括图像传感器10、图像传感器保护部(第1构件)20、透镜30以及透镜保护部(第2构件)40。图像传感器10是例如电荷耦合器件(charge coupled device，CCD)、互补式金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiductor，CMOS)等摄像元件。图像传感器 10根据经由透镜30入射到未图示的摄像区域(像素区域)的光而生成电信号，并输出电信号。另外，在图像传感器10的表面(第1表面)具有未图示的像素区域、包括模拟电路和数字电路的电路区域。并且，图像传感器10的背面(与第1表面平行的第2表面)例如具有未图示的多个焊球。图像传感器保护部20通过设置在图像传感器10的表面的周围的Ag(银)系的导电性粘接剂50连接。该图像传感器保护部20用于保护图像传感器10的像素区域。但是， 导电性粘接剂50的透光率小于100%。于是，在图像传感器保护部20和图像传感器10之间设有不存在导电性粘接剂50的区域。这是为了防止下述现像如果在设置于图像传感器 10的像素区域的未图示的微透镜上涂覆导电性粘接剂50，则透光率减少、性能降低。另外， 该图像传感器保护部20例如由非导体(塑料)形成，被金属膜和金属氧化膜(绝缘膜)的层叠膜覆盖。透镜30具有期望的光学特性，例如，由未图示的IR(红外线)截止滤波器和多个透镜构成。透镜保护部40保持透镜30，利用导电性粘接剂51而与传感器保护部20电连接。另外，该透镜保护部40例如由非导体(塑料)形成，被金属膜和金属氧化膜的层叠膜覆盖。图像传感器保护部20在非导体(塑料)部21的表面形成有金属膜22，在金属膜22的表面形成有金属氧化膜(也简称为氧化膜或绝缘膜)23。金属膜22具备例如由 Cu (铜)形成的底板(下层金属膜)2 、和形成在底板2 上的例如由SUS (不锈钢)形成的顶板(上层金属膜)22b。并且，在该金属膜22的表面形成有由金属膜22的一部分(表面)氧化而成的氧化膜23。该氧化膜23在通过导电性粘接剂51而与透镜保护部40连接的面上例如不连续(断断续续)地形成。另外，该氧化膜23即使不是不连续的，也可以一部分(局部)被破坏。透镜保护部40在非导体(塑料)部41的表面形成有金属膜42，在金属膜42的表面形成有金属氧化膜(简称为氧化膜或绝缘膜)43。金属膜42与金属膜22同样具备例如由Cu (铜)形成的底板(下层金属膜)4 、和形成在底板4 上的例如由SUS (不锈钢) 形成的顶板(上层本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种照相机组件的制造方法，其具备：准备图像传感器的步骤；准备第１构件的步骤，所述第１构件具备第１非导体、覆盖所述第１非导体的第１金属膜、和覆盖所述第１金属膜的第１绝缘膜；准备第２构件的步骤，所述第２构件具备第２非导体、覆盖所述第２非导体的第２金属膜、覆盖所述第２金属膜的第２绝缘膜；将所述第１构件配置在所述图像传感器上的步骤；将所述第２构件配置在所述第１构件上或者上方的步骤；和对所述第１构件与所述第２构件之间或者所述图像传感器与所述第２构件之间施加规定的电压，使所述第１绝缘膜和第２绝缘膜中的至少一部分破坏的步骤。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山田学，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP