一种超高纯电子级磷酸的生产装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种超高纯电子级磷酸的生产装置，由三氯氧磷储罐(23)、三氯氧磷蒸气发生器(7)、水蒸气发生器(6)、带集液槽(8)的磷酸发生器(1)、脱氯器(2)、磷酸储槽(9)、真空泵(22)、带母液槽(11)的盐酸集液器(3)、盐酸蒸发器(10)、带循环槽(16)的盐酸吸收器(4)、换热器(17)、循环泵(18)、盐酸储槽(13)、尾气引风机(24)、尾气塔(5)以及连接管道组成。本实用新型专利技术的优点有：①系统密闭，环境对产品纯度无影响；②有效控制水蒸气与三氯氧磷蒸汽的比例，调剂磷酸浓度，降低高纯磷酸浓缩耗能；③有效抑制磷酸中盐酸含量和盐酸中磷酸含量，节省磷酸脱氯和盐酸脱磷工序时间和能耗；④磷酸发生器内水汽和三氯氧磷蒸汽有效接触面大。适于用高纯三氯化磷生产超高纯电子级磷酸。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及磷酸，具体来说，涉及超高纯电子级磷酸的生产装置。
技术介绍
一般集成电路制作和TFT-IXD液晶显示器的生产所需磷酸纯度要求不高，非金属离子含量不高于12X IO"6(即12ppm)，金属离子不超过1100X IO"9(即IlOOppb)，产品质量达到SEMI grade 2标准即可。但对于大规模集成电路制作要求质量指标必须达SEMI grade 3，而高端芯片制作及磷源掺杂中所需磷酸要求级别较高，其金属杂质含量不超过 10 X 10_9( S卩IOppb)。目前国内制取SEMI grade 2超高纯磷酸的生产工艺，绝大部分指标逐步接近于SEMI grade 3标准，金属离子含量不超过250 X 10_9 (即250ppb)，其制备方法均为湿法磷酸净化精制法、热法磷酸净化法、结晶法制纯磷酸、电解净化法和离子交换及电渗法等方法上改进实现，均不能满足高端微电子工业的要求，尤其是不能满足超大规模集成电路和芯片制作需求，更不能作为掺杂磷源使用。在国外也有用磷酸制备超高纯磷酸的技术， 但均采用多道工序提纯的方法进行，不是直接生产获得。日本专利(公开号2000-239008) 于2本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种超高纯电子级磷酸的生产装置，其特征在于该装置由三氯氧磷储罐（２３）、三氯氧磷蒸气发生器（７）、水蒸气发生器（６）、带集液槽（８）的磷酸发生器（１）、脱氯器（２）、磷酸储槽（９）、真空泵（２２）、带母液槽（１１）的盐酸集液器（３）、盐酸蒸发器（１０）、带循环槽（１６）的盐酸吸收器（４）、换热器（１７）、循环泵（１８）、盐酸储槽（１３）、尾气引风机（２４）、尾气塔（５）以及连接管道组成；其中，三氯氧磷储槽（２３）、三氯氧磷蒸气发生器（７）通过管道连接到磷酸发生器（１）中部；水蒸气发生器（６）通过管道分别与磷酸发生器（１）的上部和下部连接；磷酸发生器（１）的集液槽（８）有管道与脱氯器（２）连...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：罗培华，
申请(专利权)人：罗培华，
类型：实用新型
国别省市：52