静电放电保护电路制造技术

一种静电放电保护电路，包括：第一电源端、第二电源端和焊垫端，所述第一电源端和焊垫端之间串联至少两个二极管，所述第二电源端和焊垫端之间串联至少一个二极管。所述电路减小了静电放电保护电路的寄生电容的电容值，改善了被保护集成电路的高频特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，特别涉及静电放电保护电路。
技术介绍
如今，随着集成电路制造技术的发展，CMOS集成电路的特征尺寸越来越小。然而， 随之而来的，集成电路对于静电放电(ESD，Electrostatic Discharge)的保护能力也越来越弱，即随着器件特征尺寸的缩小，器件承受静电电压的能力也在下降。并且，由于集成电路所处的工作环境中的静电并不会因为集成电路尺寸的缩小而有任何改变，因此，与大尺寸集成电路相比，现今采用深亚微米制造工艺制造的集成电路更容易受到静电放电的影响而损坏。集成电路组件中首先遭遇静电放电的通常为直接耦接至集成电路芯片的焊垫或端子的输入/输出电路。因而，静电放电保护电路通常也与输入/输出电路相连。目前，可控硅整流器(SCR，Silicon Controlled Rectifier)由于具有良好的静电放电保护特性以及相对较小的器件面积而被广泛应用于集成电路的静电放电保护电路上。通常都是通过设计器件结构来生成寄生的可控硅整流器来提供静电放电保护。在例如申请号为200610108738. 5的中国专利申请中就提及了一种寄生可控硅整流器的电路。参照图1所示，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种静电放电保护电路，其特征在于，包括：第一电源端、第二电源端和焊垫端，所述第一电源端和焊垫端之间串联至少两个二极管，所述第二电源端和焊垫端之间串联至少一个二极管。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：俞大立，刘志纲，刘晶，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31