RF同轴连接器的耦合损耗降低电路制造技术

本发明专利技术涉及在连接RF同轴连接器的信号的输入端和输出端的信号通路周边设置有两端接地且被流经相应通路的高频信号激发而充电的电容器的阻抗匹配电路，特别提供一种与上述电容器并列设置相同容量的电容器以补偿损耗的RF同轴连接器的耦合损耗降低电路，为了使传送、接收信号的损耗最小化，所述耦合损耗降低电路改变了阻抗匹配用电容器耦合结构，使同轴连接器的插头与插座耦合时发生的插入损耗最小化，最终补偿损耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及RF同轴连接器，特别涉及RF同轴连接器的耦合损耗降低电路，为了使传送、接收信号的损耗最小化，该耦合损耗降低电路通过改变阻抗匹配用电容器耦合结构， 使同轴连接器的插头与插座耦合时发生的插入损耗最小化，以最终补偿损耗。
技术介绍
一般来说，RF(Radio Frequency)同轴连接器具有在圆筒型外部导体中央设置内部中心导体，并在内、外部导体之间填充绝缘体进行固定的结构，作为连接各种无线通信系统的各种部件或设备而传送高频信号的媒体使用，根据不同用途及性能，具有多种实现方式。上述RF同轴连接器相比一般的平行电缆而言，随频率提高其衰减减少，且通过外部导体的泄露也较小，容易确保阻抗均勻性，因此，广泛用于远距离宽带多重传输线路。以往的RF同轴连接器如图1所示，由插座和插头构成，其中，插座和插头分别在中心具有连接信号的接头(插头接头或插座接头)，并具有防止信号向接头周边泄露的绝缘体。虽然这里对除上述结构以外的结构没有进行图示，但在通过连接器进行连接的部分，会因为通信技术上的特点而发生损耗。另外，除上述损耗以外，为提高接收率也必须要进行阻抗匹配，为此，根据高频特性，需要内置利用了线圈和电容器(或电容)的放大电路或具有阻抗匹配电路的PCB(印刷线路板)。这里，核心部件是电容器，RF同轴连接器具备的PCB电路的等价电路如图2所示， 以上述等价电路为基准时，插头接头和插座接头连接时在相应部位产生的损耗，以传送信号OMHz 870MHz为基准产生2. OdB。因此，只要补偿损耗，就能提高可信度，因此，相关研究正在迅速展开。
技术实现思路
本专利技术为解决上述问题而提出，其目的是，提供一种RF同轴连接器的耦合损耗降低电路，为了使传送、接收信号的损耗最小化，该耦合损耗降低电路通过改变阻抗匹配用电容器耦合结构，使同轴连接器的插头与插座耦合时发生的插入损耗最小化，以最终补偿损^^ ο用于达到上述目的的本专利技术的RF同轴连接器的耦合损耗降低电路的特点是，对于在连接RF同轴连接器的信号的输入端和输出端的信号通路周边设置有两端接地且被流经相应通路的高频信号激发而充电的电容器的阻抗匹配电路，与所述电容器并列设置相同容量的电容器，从而补偿损耗。用于达到上述目的的本专利技术的RF同轴连接器的耦合损耗降低电路的另一个特点是，对于在RF同轴连接器周边设置有两端接地且被流经相应通路的高频信号激发而充电的电容器的阻抗匹配电路，在连接上述信号的输入端和输出端的信号通路上设置与所述电容器具有相同容量的电容器，并在所述输出端和接地之间设置振荡线圈，通过线圈和电容器构成的振荡电路来补偿损耗。为了使传送、接收信号的损耗最小化，如上所述的本专利技术通过改变阻抗匹配用电容器耦合结构，使同轴连接器的插头接头与插座接头耦合时发生的插入损耗最小化，从而补偿损耗。附图说明图1是一般的由插头和插座构成的RF同轴连接器的连接状态剖视图。图2是以往RF同轴连接器的内部PCB电路等价示意图。图3是根据本专利技术的RF同轴连接器的耦合损耗降低电路的PCB基板的电路结构及等价示意图。图4是根据本专利技术的RF同轴连接器的耦合损耗降低电路的另一等价示意图。 具体实施例方式本领域技术人员可以通过附图和下面的本专利技术优选实施方式进一步明确本专利技术的上述目的和各种优点。首先，产生损耗的原因是由于电容量不足，因此提高电容性电容器容量将是一种解决方法。另外，即使使用相同的电容性电容器，如果通过内部振荡或自身振荡对不足部分或损失部分进行补偿，将更有利于降低损耗。图3是根据本专利技术的RF同轴连接器的耦合损耗降低电路的PCB基板的电路结构及等价示意图，图4是根据本专利技术的RF同轴连接器的耦合损耗降低电路的另一等价示意图。如图3所示，在连接RF同轴连接器的信号的输入端和输出端(统一用符号10表示)的信号通路周边设置有两端接地且被流经相应通路的高频信号激发而充电的第一电容器Cl和第二电容器C2的以往阻抗匹配电路基础上，并列连接用符号C3表示的补偿用电容器。此时，上述第一电容器Cl、第二电容器C2和补偿用电容器C3优选采用相同容量的电容器。因而，通过并列设置上述补偿用电容器C3，能够补偿损耗，实验表明，能够将损耗降低到0. 8dB。另外，图4所示为与图3所示不同的另一种实施例，如图4所示，在连接RF同轴连接器的信号的输入端和输出端(统一用符号10表示)的信号通路周边设置有两端接地且被流经相应通路的高频信号激发而充电的第一电容器Cl和第二电容器C2的以往阻抗匹配电路基础上，在连接所述信号的输入端和输出端的信号通路上连接用符号C3表示的补偿用电容器，并在输出端和接地之间设置振荡线圈L，通过线圈和电容器组成的振荡电路来补偿损耗。此时，上述第一电容器Cl、第二电容器C2和补偿用电容器C3优选使用相同容量的电容器。实验表明，上述实施例也能将损耗降低到0. 8dB。以上只对本专利技术特定实施方式进行了图示及说明，但本领域技术人员都能够了解在不脱离权利要求范围所述的专利技术思想及领域的情况下，对本专利技术可以进行多种改造及变更。权利要求1.一种RF同轴连接器的耦合损耗降低电路，其特征在于，对于在连接RF同轴连接器的信号的输入端和输出端的信号通路周边设置有两端接地且被流经相应通路的高频信号激发而充电的电容器的阻抗匹配电路，与所述电容器并列设置相同容量的电容器，从而补偿损耗。2.—种RF同轴连接器的耦合损耗降低电路，其特征在于，对于在RF同轴连接器周边设置有两端接地且被流经相应通路的高频信号激发而充电的电容器的阻抗匹配电路，在连接所述信号的输入端和输出端的信号通路上设置与所述电容器具有相同容量的电容器，并在所述输出端和接地之间设置振荡线圈，通过线圈和电容器构成的振荡电路来补偿损耗。全文摘要本专利技术涉及在连接RF同轴连接器的信号的输入端和输出端的信号通路周边设置有两端接地且被流经相应通路的高频信号激发而充电的电容器的阻抗匹配电路，特别提供一种与上述电容器并列设置相同容量的电容器以补偿损耗的RF同轴连接器的耦合损耗降低电路，为了使传送、接收信号的损耗最小化，所述耦合损耗降低电路改变了阻抗匹配用电容器耦合结构，使同轴连接器的插头与插座耦合时发生的插入损耗最小化，最终补偿损耗。文档编号H01R13/719GK102244327SQ20101022652公开日2011年11月16日 申请日期2010年7月8日 优先权日2010年5月10日专利技术者崔铜旭 申请人:崔铜旭本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＲＦ同轴连接器的耦合损耗降低电路，其特征在于，对于在连接ＲＦ同轴连接器的信号的输入端和输出端的信号通路周边设置有两端接地且被流经相应通路的高频信号激发而充电的电容器的阻抗匹配电路，与所述电容器并列设置相同容量的电容器，从而补偿损耗。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔铜旭，
申请(专利权)人：崔铜旭，
类型：发明
国别省市：KR