【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基于新颖晶体导电/超导机制的超导化合物及其制造方法。
技术介绍
导电/超导现象的机制目前尚无定论，是一个重要的技术和理论问题。而以往对一般导电的机制的认识实际上也并不全面。由于目前对超导机制没有明确、合理的理论和认识，因此在导电/超导材料和器件的设计开发上具有极大的盲目性。传统的固体物理理论对导电及施主/受主掺杂的经典/准经典解读，并不一定适用于对超导机制下的施主/受主行为的理解(这和“‘超导体’不等于‘没有电阻的导体’” 的情况有所类似)。这些经典/准经典解读包括-在对固体导电的一些传统解读中，电子被理解为具有速度(与波数k对应的速度)的“粒子”；-受主掺杂的效果被理解为相应的正电荷移动；-受主-施主联合掺杂被强调为两种效果相反的载流子的彼此中和；-施主掺杂被理解为向原来基本上空的导带提供了跃迁上去的电子；-受主掺杂被理解为给满的价带上的电子提供了跃迁机会，从而使价带出现了空位(空穴)，从而具有了导带的属性；-等等。现有技术中的这些解读，对于理解相应的不同具体问题和场景时，是有效的，但一旦所针对的具体问题和场景改变时，这些解读往往难以直接适用于...
【技术保护点】
１．化合物制造方法，包括：在化合物中形成一个能带系统，该能带系统包括一个上能带和位于所述上能带下方的一个下能带，所述上能带和所述下能带之间为禁带，其特征在于：所述上能带的底部（Ｅｊ１）与所述下能带的顶部（Ｅｉ１）的能量差小于ｈｖＭ，其中ｖＭ是该化合物中的声子振动模的最大频率，其中ｈ是普朗克常数。
【技术特征摘要】
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