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本发明涉及一种超导器件/材料的光/电磁波调制方法和装置。根据本发明的一个实施例的化合物制造方法包括，在化合物中形成一个上能带E+(k)和位于所述上能带下方的一个下能带E-(k)，所述上能带和所述下能带之间可以有一个禁带，也可以没有禁带，所述...
该专利属于田多贤所有，仅供学习研究参考，未经过田多贤授权不得商用。

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