一种用于半导体外延片生长的CVD石墨托盘结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种用于半导体外延片生长的CVD石墨托盘结构，包括石墨管、石英管、上层托盘及下层托盘，一电机，下层托盘下端部中央设有凹槽，凹槽上方中央设有通孔；所述石墨管上端置入下层托盘底部的凹槽内配合定位；石英管套设于石墨管内，且石英管的管芯与凹槽上方的通孔联通；上层托盘下端设有容纳基片的基板槽，下层托盘上端设有容纳基板的基板槽及凸出于下层托盘上表面的支撑块，上层托盘设于下层托盘上端，之间以支撑块衔接；所述电机与石墨管传动连接。本实用新型专利技术可实现向生长外延片和向下生长外延片，并能使反应腔内的气流形成均匀的流场、温度场和浓度场，从而在基板上形成均匀的外延层。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及用于半导体外延片生长的CVD石墨托盘结构，尤其涉及一种可在半导体基片朝上或朝下生长外延片的CVD石墨托盘结构。
技术介绍
碳化硅(SiC)是继Si、GaAs之后的第三代半导体材料。作为一种宽带隙半导体材料，SiC具有宽禁带、击穿电压高、电子饱和漂移速度高、热导率高、抗辐射能力强、化学稳定性好等优良的物理电子性质以及与硅集成电路工艺兼容等特点，是目前已知最为理想的半导体材料，将给短波长光电器件、射频和微波器件、大功率半导体电力转换模块的发展带来革命性的突破。作为半导体器件的理想材料，需要有高品质的碳化硅外延片，目前主要的碳化硅外延片生产方式是化学气相沉积法(CVD )。目前，生长外延片的托盘结构主要是单层结构，气体从基片的上方通过，基片只能朝上生长外延片，而且为保证高质量外延片的产量，CVD托盘的设计趋向于大尺寸，大容量， 随之反应腔的体积也相应增加，这就增加了气体具有均勻的流场、温场和浓度场的难度。
技术实现思路
本技术针对现有技术的上述缺陷，提供一种用于半导体外延片生长的CVD石墨托盘结构，可以选择外延片向上或向下生长，并可控制基片生长面附件气体的均勻流场、 温场和浓度场。为了本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种用于半导体外延片生长的ＣＶＤ石墨托盘结构，其特征在于，包括石墨管、石英管、上层托盘及下层托盘，一电机，下层托盘下端部中央设有凹槽，凹槽上方中央设有通孔；所述石墨管上端置入下层托盘底部的凹槽内配合定位；石英管套设于石墨管内，且石英管的管芯与凹槽上方的通孔联通；上层托盘下端设有容纳基片的基板槽，下层托盘上端设有容纳基板的基板槽及凸出于下层托盘上表面的支撑块，上层托盘设于下层托盘上端，之间以支撑块衔接；所述电机与石墨管传动连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：俞军，李锡光，萧黎鑫，
申请(专利权)人：东莞市天域半导体科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：44