多管串联半导体激光模块及其制造方法技术

技术编号:6839732 阅读:218 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种多管串联半导体激光模块及其制造方法,该模块包括:一热沉,具有前方区域以及后方区域;一散热片,具有上表面和下表面,并通过下表面焊接在前方区域上,上表面上制备有彼此电绝缘的一正极打线盘、一负极打线盘、多个焊料盘、及多个芯片间打线盘,该多个焊料盘与芯片间打线盘按线阵规则排列并一一相间,该多个焊料盘的部位涂有焊料;一电路板,附着在后方区域上,并具有与热沉绝缘的正、负极;多个半导体激光器件芯片,以一次贴片的方式,按线阵规则排列对应焊接在焊料盘上,并串联;其中,两位于外侧的芯片分别与正极、负极打线盘电连接,而该正极、负极打线盘分别与电路板的负、正极电连接,从而构成一个完整的半导体激光模块。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体激光器件在固体激光器泵浦领域的应用,特别是涉及一种多只单管串联(简称多管串联,以下类同)半导体激光模块及其制造方法。
技术介绍
高功率半导体激光器具有体积小,能量转化效率高的特点,自其专利技术以来,其输出功率,可靠性不断得到提高。已经被广泛应用到工业,医疗,军事等领域。在其发展历史中, 半导体激光泵浦器件一直由多管并联方式来实现其电连接,这种并联方式要求供电电源提供大电流,电流范围从几十到一百安培以上。除此之外对整个电路都要求具有承受大电流的能力。多管半导体激光器件的并联连接是由于半导体激光芯片的焊接技术所限。随着技术的发展,多芯片串联的光电器件已经成为本行业技术和产品的发展大趋势。用多芯片串联技术可以使器件工作电流大幅度降低,相应对电源和整个电路的电流承载能力要求大大降低(降至若干安培)。目前市场上存在的多芯片串联器件均为由预先制成的单芯片器件堆积而成,其制作工艺繁杂,工件数量多,对工件尺寸公差要求很严,所以制造成本较高。如果多个芯片可以一次贴片制成,则可以解决上述所有问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种适于在低电流下使用的半导体激光模块及其制造方法,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多管串联半导体激光模块,其特征在于,包括:一热沉,具有一前方区域以及一后方区域;一散热片,具有一上表面和一下表面,并通过该下表面焊接在该前方区域上,该上表面上制备有彼此电绝缘的一正极打线盘、一负极打线盘、多个焊料盘、以及多个芯片间打线盘,该多个焊料盘与该多个芯片间打线盘按线阵规则排列并一一相间,该多个焊料盘的部位涂有焊料;一电路板,附着在该后方区域上,并具有与该热沉绝缘的一正极和一负极;多个半导体激光器件芯片,以一次贴片的方式,按线阵规则排列对应焊接在该多个焊料盘上,且该多个半导体激光器件芯片串联;其中,该多个串联的半导体激光器件芯片中的两个位于外侧的半导体激光器件芯片还分别与所述散热...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李大明
申请(专利权)人:无锡亮源激光技术有限公司
类型:发明
国别省市:32

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