一种半导体激光器调Q电路及调Q方法技术

本申请公开了一种半导体激光器调Q电路及调Q方法，属于半导体激光器的相关技术领域。本申请提出了一种半导体激光器调Q电路及调Q方法，该方法采用了电源模块、射频场效应管和耦合升压器等关键技术，通过精确控制电路参数和特定器件的应用，实现了激光调Q过程中的高压窄脉冲输出，从而提高了激光器性能参数的调节范围和调节速度，增强了其输出功率的稳定性和可调性。此外，为了适应不同调Q晶体的需求，该技术还实现了高压幅值的可变，高压上升沿可变，能够满足不同应用场景下的要求。同时，采用了小型化设计和电磁对称布局等手段，使得调Q板尺寸更小、稳定性更高，从而进一步提升了半导体激光器调Q技术的应用范围和性能表现。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及半导体激光器的相关，特别涉及一种半导体激光器调q电路及调q方法。

技术介绍

1、半导体激光器是一种基于半导体材料的受激辐射而产生激光的光电器件，其利用电流注入到半导体材料中通过调q开关产生激光。相比传统的气体激光器，半导体激光器具有体积小、结构紧凑、功率密度高、转换效率高、寿命长等优点，使其在通信、医疗、材料加工等领域有着广泛的应用前景。

2、然而，尽管半导体激光器在许多方面表现出色，但其调q技术仍然存在一些限制。调q是控制激光输出脉冲特性的关键技术之一，但传统半导体激光器的调q技术通常面临调节范围窄、调节速度慢、输出功率不稳定等问题。这些问题限制了半导体激光器在一些对输出稳定性和脉冲特性要求较高的领域的应用，如高精度激光加工、激光雷达等领域。因此，改进和创新半导体激光器调q技术对提升其在这些领域的应用性能具有重要意义。

技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种半导体激光器调q电路及调q方法，所述技术方案如下：

2、一方面，提供了一种半导体激光器调q电路，所述电路包括：本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体激光器调Q电路，其特征在于，所述电路包括：

2.根据权利要求1所述的半导体激光器调Q电路，其特征在于，所述电源模块（GS1）设有接地端（GND）。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器调Q电路，其特征在于，所述耦合升压器（T1）包括原级侧和次级侧；

4.根据权利要求1所述的半导体激光器调Q电路，其特征在于，所述射频场效应管（Q1）为N型场效应管；

5.根据权利要求1所述的半导体激光器调Q电路，其特征在于，所述射频场效应管（Q1）的导通时间为2NS。

6.一种半导体激光器调Q方法，其特征在于，所述方法适用于上述权利要...

【技术特征摘要】

1.一种半导体激光器调q电路，其特征在于，所述电路包括：

2.根据权利要求1所述的半导体激光器调q电路，其特征在于，所述电源模块（gs1）设有接地端（gnd）。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器调q电路，其特征在于，所述耦合升压器（t1）包括原级侧和次级侧；

4.根据权利要求1所述的半导体激光器调q电路，其特征在于，所述射频场效应管（q1）为n型场效应管；

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡震，冯小明，马京川，张路，
申请(专利权)人：无锡亮源激光技术有限公司，
类型：发明
国别省市：