【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体硅太阳能电池的
，尤其是。
技术介绍
目前硅晶太阳能电池的主体工艺通过高质量的晶硅原料、良好物理PN结扩散和优质的钝化及电流收集等方面构成。晶硅几十年的发展，现今认为进一步提高产线电池效率的突破口在表面钝化尤其是背极的钝化上，其中S^2作为Si的同系氧化物在钝化效果及实现上有明显的优势。目前其钝化应用分为两类i. P型电池的正面SW2超薄膜结合 SiNx的减反钝化；2. P型电池背面钝化。但目前存在的问题是钝化效果最优的SiA需要在高温小生长，其产线应用上存在耗时耗能的缺点。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是为了解决上述存在的缺点和不足，提供一种降低成本并提高晶体硅太阳能电池效率的。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种，将硅片放入热氧化液体浸泡制备超薄二氧化硅薄膜，进行氮化硅镀膜工艺。将硅片放入具有一体化液体环境的设备中，对硅片进行清洗、扩散，在硝酸或氟化氢对硅片的背面进行去磷硅玻璃及刻边，再用氟化氢浸泡，将硅片放入热氧化液体浸泡制备超薄二氧化硅薄膜，进行氮化硅镀膜工艺。将硅片进行等离子干刻和液体湿刻，对硅片进行清洗、扩散...
【技术保护点】
１．一种晶体硅太阳能电池的液体氧化钝化方法，其特征在于：将硅片放入热氧化液体浸泡制备超薄二氧化硅薄膜，进行氮化硅镀膜工艺。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴国强，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：发明
国别省市：32
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