硅衬底LED的非球面封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种硅衬底LED的非球面封装结构，涉及在硅上外延制造的大功率LED灯，用于降低灯具系统的热阻，提高其导热率，改善LED灯具的性能。该技术方案包括垂直结构的LED芯片、电极引线以及热沉，芯片固定在热沉上，热沉包括第一电极层、作为电极引线的电路层的第二电极层、绝缘层和导热层；其中第一电极层和第二电极层作为热沉的外围层覆盖在导热层表面上，在外围层与导热层通过位于它们之间的第一绝缘层绝缘；第一电极层与第二电极层通过将它们分割开的第二绝缘层绝缘；芯片设在第一电极层上，电极引线由芯片焊接到第二电极层上；透镜为两个半球形透镜连在一起的非对称连体透镜。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种LED灯，特别是涉及在硅上外延制造的大功率LED灯。
技术介绍
现有的LED灯的散热结构如中国专利公告号为CN 20130348公开日期为2009年 9月2日、名称为“热电分离的散热模块结构”的公开技术方案。该方案公开了一种包括散热单元、传导层、绝缘层、防焊层、电路层和LED电子元件层等几个主要部分构成的热电分离的LED模块结构。对于Si衬底垂直结构的LED芯片，也采用上述类似的热电分离的结构。传统的热电分离是在铝基板上完成的。在实际应用中，铝基板使用的绝缘层厚达5um，其具有非常低的热导率。该结构导致灯具系统热阻过高。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种硅衬底LED的非球面封装结构，用于降低灯具系统的热阻，提高其导热率，改善LED灯具的性能。为了解决上述技术问题，本技术提出一种硅衬底LED的非球面封装结构，包括垂直结构的LED芯片、电极引线、透镜以及热沉，所述芯片固定在热沉上，透镜设在芯片上；以及所述热沉包括第一电极层、作为所述电极引线的电路层的第二电极层、绝缘层和导热层；其中第一电极层和第二电极层作为热沉的外围层覆盖在所述导热层表面上，在外围层与导热层通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种硅衬底ＬＥＤ的非球面封装结构，包括垂直结构的ＬＥＤ芯片、电极引线、透镜以及热沉，所述芯片固定在热沉上，透镜设在芯片上；其特征在于：所述热沉包括第一电极层、作为所述电极引线的电路层的第二电极层、绝缘层和导热层；其中第一电极层和第二电极层作为热沉的外围层覆盖在所述导热层表面上，在外围层与导热层通过位于它们之间的第一绝缘层绝缘；第一电极层与第二电极层通过将它们分割开的第二绝缘层绝缘；所述芯片设在第一电极层上，所述电极引线由芯片焊接到第二电极层上；所述透镜为两个半球形透镜连在一起的连体透镜，透镜包括用于安放芯片的孔，该孔位于连体透镜的连体线上，且偏向一边。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曾平，
申请(专利权)人：江西省晶和照明有限公司，
类型：实用新型
国别省市：36