具有超低无载损耗的直流电源转换器制造技术

一种具有超低无载损耗的直流电源转换器，包含有：一直流电源；一变压器，其一次侧具有一第一绕组N1、第一MOSFET(金氧半场效晶体管)以及一PWM(脉冲宽度调变)控制器，该PWM控制器具有在轻载时进入突冲模式、脉冲跳跃或非导通时间调变的功能；该变压器的二次侧分为一第二绕组以及一第三绕组，且该二次侧具有一驱动控制单元、一整流单元以及一第二MOSFET，该三者的组合是电性连接于该第二绕组的一端以及该第三绕组的一端之间，且该第二MOSFET具有一内部二极管(Body?Diode)；该第二绕组与该第二MOSFET的组合用以连接于一负载。借此，可达到在二次侧进行判断，并降低无载损耗的功效。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术是与电源转换的技术有关，特别是指一种具有超低无载损耗的直流电源转换器。
技术介绍
现有的直流对直流转换器(DC/DC converter)在进行电源转换的过程中会有功率损耗，此功率的损耗降低了转换的效率。然而直流对直流转换器在功率密度的要求上日益增加，为了提高其转换效率，目前广泛使用的方式是在变压器的二次侧以功率金氧半场效晶体管(power M0SFET)做为同步整流开关组件。此种方式确实可以提高重载时的效率，但是因为增加了驱动时的功率损失，所以在无载时仍然有功率上的损耗，造成了无载时的效率较低。美国第US7，443，146号专利，即揭露了在二次侧以MOSFET来进行整流的技术，其具有上述在无载时仍有功率上的损耗的缺失。本案申请人基于解决上述问题，提出了中国台湾第M3742^号专利技术，其降低了无载时的功率损耗。虽然，此案是使用变压器一次侧的电流侦测结果做为降低待机损耗的判断基础，但并未揭露不经由一次侧而仅在二次侧进行判断，并借以达到降低待机损耗的技术；此外，其所降低的损耗，仍有进一步降低的余地，因此依法提出本案的专利申请。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种具有超低无载本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种具有超低无载损耗的直流电源转换器，其特征在于，包含有：一直流电源，具有一正极端以及一负极端；一变压器，具有一一次侧以及一二次侧；该一次侧具有一第一绕组，该第一绕组的一端连接于该直流电源的正极端，另一端连接于一第一ＭＯＳＦＥＴ，该第一ＭＯＳＦＥＴ电性连接于一ＰＷＭ控制器，该ＰＷＭ控制器具有在轻载时进入突冲模式、脉冲跳跃或非导通时间调变的功能；该二次侧分为一第二绕组以及一第三绕组，且该二次侧具有一驱动控制单元以及一整流单元，该整流单元电性连接于该驱动控制单元，该驱动控制单元电性连接于一第二ＭＯＳＦＥＴ，该第二ＭＯＳＦＥＴ、该驱动控制单元以及该整流单元的组合电性连接于该第二绕组的一端以及该第...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈联兴，刘力豪，
申请(专利权)人：博大科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71