本发明专利技术提供一种低频经颅磁场发生装置，包括磁输出装置及与其电连接的电路装置，磁输出装置包括线架及缠绕于线架上的线圈，该线架具有一缺口，该磁输出装置通过线圈与电路装置连接。本发明专利技术的低频经颅磁场发生装置，通过外加磁刺激来调节脑细胞的电磁参量，使脑神经的活动趋于正常，从而达到减缓和治疗病态的目的。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及医疗器械领域，尤其涉及一种低频经颅磁场发生装置。
技术介绍
人的大脑神经对产生、上传、下达信息，进而维持生命正常活动有着极其重要的作用，这种作用又必然伴随着生物电现象的发生和变化。一旦脑细胞活动失去常态，就会出现病态。经颅磁刺激是一种利用磁场作用于中枢神经系统，在大脑产生感应电流而刺激神经细胞产生动作电位，引起一系列的生理化学反应从而影响大脑功能的技术。经颅磁刺激技术作为一种治疗中枢神经系统疾病的重要方法，其磁信号透过颅骨而刺激大脑皮层，能改善大脑局部血液循环，促进脑细胞修复，激发脑组织活力，从而可达到治疗作用。而现有应用的磁刺激主要为脉冲磁场，使用频率较高、或磁感应强度较低，对疾病的治疗效果不明Mo
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种低频经颅磁场发生装置，通过外加磁刺激来调节脑细胞的电磁参量，使脑神经的活动趋于正常，从而达到减缓和治疗病态的目的。为实现上述目的，本专利技术提供一种低频经颅磁场发生装置，包括磁输出装置及与其电连接的电路装置，磁输出装置包括线架及缠绕于线架上的线圈，该线架具有一缺口，该磁输出装置通过线圈与电路装置连接。该电路装置包括电源部分、控制显示部分、依次电连接的次声频交流电信号发生模块、前置电压放大模块、功率放大模块、及次声频磁刺激信号装置输出模块；其中控制显示部分、次声频交流电信号发生模块、前置电压放大模块、功率放大模块分别与电源输出端电连接，且次声频交流电信号发生模块、前置电压放大模块、功率放大模块及次声频磁刺激信号装置输出模块分别与控制显示部分之间形成电连接，磁输出装置通过线圈与功率放大模块的输出端连接。该线架呈C形或类C形。该线架为由软磁材料制成的线架。该线架的横截面的面积为lcm2-900cm2。该线架缺口之间的直线距离为30mm-500mm(mm 毫米)。该线圈的绕线为横截面积为0. lcm2-25cm2的漆包线。该低频经颅磁场发生装置产生的磁感应为0. 1-2000高斯。本专利技术的有益效果是本专利技术的低频经颅磁场发生装置，通过外加磁刺激来调节脑细胞的电磁参量，使脑神经的活动趋于正常，从而达到减缓和治疗病态的目的。附图说明下面结合附图，通过对本专利技术的具体实施方式详细描述，将使本专利技术的技术方案及其他有益效果显而易见。附图中，图1为本专利技术的低频经颅磁场发生装置的磁输出装置的结构示意图；图2为本专利技术的低频经颅磁场发生装置的电路装置的模块结构示意图；图3为本专利技术的磁输出装置使用时的结构示意图。具体实施例方式以下结合附图对本专利技术进行详细描述。本专利技术的低频经颅磁场发生装置，包括磁输出装置及与其电连接的电路装置。如图1所示，所述磁输出装置包括线架11及缠绕于线架11上的线圈12，该磁输出装置通过线圈12与电路装置连接。其中，所述线架11具有一缺口 110，从而该线架11呈C形或类C形。该线架11由软磁材料制成，线架11的横截面可为矩形或椭圆形等，线架11横截面的面积为lcm2-900cm2， 其上缺口 110之间的直线距离为30mm-500mm(毫米)，用于容纳人或动物的部分或全部头部。如图3所示，使用时，缺口 110 —截面位于人头部2前方，另一截面位于人头部2后方。所述线圈12缠绕于该线架11上，形成产生磁场的线圈。线圈的绕线12为横截面积为 0. lcm2-25cm2的漆包线。为满足不同治疗要求的磁感应强度和分布，可通过调整线架的参数、线圈的匝数和通过线圈的电流强度来实现。如图2所示，该电路装置包括电源部分20、控制显示部分30、依次电连接的次声频交流电信号发生模块40、前置电压放大模块50、功率放大模块60、及次声频磁刺激信号装置输出模块10，其中电源部分20用于外接电源(如市电)，其输出端分别电连接控制显示部分30、次声频交流电信号发生模块40、前置电压放大模块50、功率放大模块60及次声频磁刺激信号装置输出模块10，该电源部分20把220伏的市电转变成上述各部分所需电压的不同直流电，通过其输出端供给各部分。次声频交流电信号发生模块40用于产生和调整次声频的正弦交变电流信号，前置电压放大模块50用于放大正弦交变电流信号以推动功率放大，功率放大模块60对正弦交变电流信号进行功率放大，而次声频磁刺激信号装置输出模块10是把正弦交变电流变成对应的磁信号输出，并通过其输出端与磁输出装置的线圈12连接，在该磁输出装置上形成磁场，用于磁治疗，磁感应强度为0. 1-2000高斯。控制显示部分30用于进行人机交流，并与次声频交流电信号发生模块40、前置电压放大模块 50、功率放大模块60及次声频磁刺激信号装置输出模块10之间分别电连接，调节控制和显示所需的电磁参量。该电路装置还包括一外壳(未图示)，所述电源部分20、次声频交流电信号发生模块40、前置电压放大模块50、功率放大模块60、及次声频磁刺激信号装置输出模块10设于外壳内部，所述控制显示部分30设于外壳表面，可包括控制按钮及显示屏，便于进行人机交流，以调节控制和显示电磁参量。结合图1-2，本专利技术的低频经颅磁场发生装置工作时，由次声频交流电信号发生模块40产生电流频率0. 001-1. OHz的正弦交变电流，这种正弦交变电流属于次声频率范围 (非脉冲电流)，正弦交变电流经功率放大模块60进行功率放大后，经次声频磁刺激信号装置输出模块10输出，通过绕在线架11上的线圈产生次声频正弦交变磁场。按照毕奥-萨法尔定律计算，该次声频正弦交变磁场刺的磁感应强度为0-2000高斯，利用该次声频正弦交变磁场刺激大脑皮层，调节脑细胞的电磁参量，使脑神经的活动趋于正常，以达到减缓和治疗病态的目的。综上所述，本专利技术的低频经颅磁场发生装置，以外加磁刺激来调节脑细胞的电磁参量，使脑神经的活动趋于正常，从而达到减缓和治疗病态的目的。以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本专利技术的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本专利技术后附的权利要求的保护范围。权利要求1.一种低频经颅磁场发生装置，其特征在于，包括磁输出装置及与其电连接的电路装置，磁输出装置包括线架及缠绕于线架上的线圈，该线架具有一缺口，该磁输出装置通过线圈与电路装置连接。2.如权利要求1所述的低频经颅磁场发生装置，其特征在于，该电路装置包括电源部分、控制显示部分、依次电连接的次声频交流电信号发生模块、前置电压放大模块、功率放大模块、及次声频磁刺激信号装置输出模块；其中控制显示部分、次声频交流电信号发生模块、前置电压放大模块、功率放大模块分别与电源输出端电连接，且次声频交流电信号发生模块、前置电压放大模块、功率放大模块及次声频磁刺激信号装置输出模块分别与控制显示部分之间形成电连接，磁输出装置通过线圈与功率放大模块的输出端连接。3.如权利要求1所述的低频经颅磁场发生装置，其特征在于，该线架呈C形或类C形。4.如权利要求1所述的低频经颅磁场发生装置，其特征在于，该线架为由软磁材料制成的线架。5.如权利要求1所述的低频经颅磁场发生装置，其特征在于，该线架的横截面的面积为 lcm2-900cm2。6.如权利要求1所述的低频经颅磁场发生装置，其特征在于，该线架缺口之间的直线距离为 30mm-500mm。7.如权利要求1所述的低频经颅磁场发生装置，其特征在本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种低频经颅磁场发生装置，其特征在于，包括磁输出装置及与其电连接的电路装置，磁输出装置包括线架及缠绕于线架上的线圈，该线架具有一缺口，该磁输出装置通过线圈与电路装置连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李延，
申请(专利权)人：李延，
类型：发明
国别省市：94
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