键盘的电容式薄膜电路板制造技术

本实用新型专利技术是关于一种键盘的电容式薄膜电路板，包括有一第一薄膜、一第二薄膜及一位于前述第一、第二薄膜间的隔离膜；其中，第一薄膜的一表面上依序形成有一下电极层、一绝缘层及一上电极层，该下电极层包括多数下电极及连接下电极的线路，该上电极层包括多数上电极，各上电极分别对应于下电极，并分别构成一电容，又第二薄膜的一底面上形成有多个接点电极及连接各接点电极的线路，各接点电极并分别对应于第一薄膜上的上电极，且通过隔离膜的隔离呈常开状态；当前述薄膜电路板设在键盘内时，且键盘上任一按键下压时，将使对应位置处的接点电极接通对应的上电极，并使由上、下电极构成的电容充放电，作为判读按键动作的依据。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种薄膜电路板，特别涉及一种采用电容式键盘工作原理的薄膜电路板构造。
技术介绍
如图6所示，是一般键盘内部的所设的数组线路80及一与该数组线路80相连接的编码电路90，该数组线路80大致包括数扫描线S0～Sn及数资料线O0～On交编成矩阵，而在各扫描线S0～Sn与各资料线O0～On跨接处分别设有一接点，当脉冲讯号轮流地送上各扫描线S0～Sn时，若其中有一接点sw11被接通(上方的实体按键下压)，则在脉冲讯号由扫描线S1送入时，即通过接通的接点sw11被送至数据线O1，如此一来，该编码电路90即可通过该数据线O1取得脉冲讯号，进而判读出接点sw11的按压动作。但当使用者同时按下位于相邻对角位置的接点如sw11、sw12及sw21共三个接点按下时，相邻两数据线O1、O2上都有讯号送入，在该等状况下，编码电路90除了将判读接点sw11、sw12已经接通外，同时解读接点sw21、sw22共四点接通，也就是出现了一般所称“鬼键”。解决前述“鬼键”现象的其中一种解决方式是在每一个接点上串接一二极管，使讯号具有方向性而排除编码电路90的误判。但现有的数组线路80都是由薄膜电路板所构成，而薄膜电路板上通常只是利用银胶印刷以形成接点及线路，因此想要在薄膜电路板上安装数量庞大的二极管，须付出极大成本，故前述解决方案不符合经济效益。另外一种解决方案是采用电容式键盘，此种电容式键盘与生俱来地对于前述“鬼键”现象具有免疫能力，所谓的电容式键盘概以电容与前述数组线路上的接点串联或取代该接点，而在实体的按键下方设有金属层，当按键被按下，与下方的金属层构成一电容，而改变其电容值。由于电容值的变化仅在瞬间而不持续，故可排除“鬼键”现象。但传统电容式键盘的结构是采用硬质的PC电路板，不仅体积大且成本昂贵，早已不符产业与市场的需求。基于前述理由，由申请人提申的中国授权公告第CN 201571039U号技术专利案「键盘的薄膜电路板结构」提出一种解决方案，其提供第一至第三薄膜，且在第一、第二薄膜间设有一绝缘层；其中，第一至第三薄膜分别于至少一面上形成有相对应的电极，利用该相邻或相对的电极分别构成一电容及一与电容串接的接点；当前述薄膜电路板设于键盘内时，且键盘上任一按键下压时，将使对应位置处的接点接通，并使相串接的电容充放电，可作为判读按键动作的依据。由于前述专利案整合了传统接点式与电容式键盘的工作原理，而具有“鬼键”的免疫能力，且由于采用薄膜电路板制程，所以具有低成本、体积小且环保等优点。根据前述专利案所公开的实施例中，每一种实施例至少包括三层薄膜，也就是每一种实施都包括了第一至第三薄膜，如其图3所公开的第一较佳实施例包括第一至第三薄膜10、20、30，图5公开的第二较佳实施例，也包括第一至第三薄膜40、50、60，并进一步在第一、第二薄膜40、50间设有一隔离膜70；而所谓的第一至第三薄膜是指在其表面及/或底-->面上形成有接点电极及/或电容电极，也就是第一至第三薄膜都是通过薄膜电路板制程所构成。如果减少可以通过薄膜电路板制程所构成的薄膜数目，将可进一步降低成本。
技术实现思路
本技术所要解决的主要技术问题在于，克服现有技术存在的上述缺陷，而提供一种键盘的电容式薄膜电路板，其由两片薄膜及一隔离膜所组成，通过两片薄膜上创新的结构设计，相较于先前提申核准的技术专利案进一步减少一层经过薄膜电路板制程的薄膜，可降低成本，但依然具备电容式键盘对”鬼键”具有免疫能力的特性。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种键盘的电容式薄膜电路板，其特征在于，包括：一第一薄膜，具有一表面，该表面上依序形成有一下电极层、一绝缘层及一上电极层，该下电极层包括多数下电极及连接下电极的线路，该绝缘层是覆盖在下电极层上，该上电极层包括多数上电极，各上电极分别对应于下电极，并分别构成一电容；一第二薄膜，具有一底面，该底面上形成有多个接点电极及连接各接点电极的线路，多数的接点电极并分别对应于第一薄膜上的上电极，且该接点电极和相对的上电极分别构成一开关；一隔离膜，具有一厚度并位于前述第一、第二薄膜间，该隔离膜上形成有多数通孔，各通孔分别对应于第一薄膜上的上电极及第二薄膜上的接点电极。所述键盘的电容式薄膜电路板，其中，第一薄膜的绝缘层上进一步形成有一作为接地用的金属网层，该金属网层是环绕在各上电极间。所述键盘的电容式薄膜电路板，其中，隔离膜的其中一面进一步形成有一作为接地用的金属网层。所述键盘的电容式薄膜电路板，其中，第一薄膜的上电极层进一步包括一个以上的接触电极和一个以上的延伸线路，该接触电极是通过该延伸线路和一对应的上电极电连接，又接触电极是对应位在第二薄膜上所设接点电极的下方。所述键盘的电容式薄膜电路板，其中，第一薄膜上的上、下电极为圆形、矩形、U形、L形、方形、三角形或梯形。当前述薄膜电路板设于一键盘内时，且键盘上任一按键下压时，将使第二薄膜上对应位置处的接点电极接通第一薄膜上对应的上电极，从而使第一薄膜上由上、下电极构成的电容充放电，作为判读按键动作的依据。利用前述结构，即只须两层具有线路及电极的薄膜，即可具备电容式键盘的优点，但因至少减少一层薄膜，故可显着降低成本。本技术的有益效果是，其由两片薄膜及一隔离膜所组成，通过两片薄膜上创新的结构设计，相较于先前提申核准的技术专利案进一步减少一层经过薄膜电路板制程的薄膜，而可降低成本，但依然具备电容式键盘对“鬼键”具有免疫能力的特性。附图说明下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。图1是本技术的分解示意图。-->图2是本技术第一薄膜上所设下电极层的示意图。图3是本技术第一薄膜上所设下电极层的剖视图。图4是本技术的组合剖视图。图5是本技术的电路图。图6是现有键盘的电路图。具体实施方式如图1所示，本技术由下而上包括一第一薄膜10、一隔离膜30及一第二薄膜20；其中：请配合参考图2及图3所示，该第一薄膜10具有一表面，该表面上依序形成有一下电极层11、一绝缘层13及一上电极层12，该下电极层11包括多数的下电极111及连接下电极111的线路112，在附图上所公开的下电极111形状是呈圆形，但除了圆形以外，还可以是其它的形状，例如矩形、U形、L形、方形、三角形或梯形等；又各下电极111的位置主要是配合实体键盘上各按键的位置；再者，前述绝缘层13是全面地覆设在下电极层11上，而上电极层12则是形成在所述的绝缘层13上，借由绝缘层13使下、上电极层11、12得以确实地相互隔离；又请参考图1、图3所示，该上电极层12包括多数上电极121，各上电极121分别对应于下电极层11上的各个下电极111，以分别构成一电容；本实施例中，该绝缘层13上进一步形成有一接地用的金属网层14，该金属网层14并环绕于各上电极121间，借以提供一稳定的电压位准。另须特别说明的是：前述金属网层14不必然形成在第一薄膜10上，其也可以形成在隔离膜30的表面或底面。然而当前述薄膜电路板设在一键盘内，该键盘内设有一接地金属板，且接地金属板位于薄膜电路板的下方，则不需前述金属网层14，也可达到提供稳定电压位准的目的。请参看图1、图4所示，该隔离膜30具有一厚度并覆设在前述第一薄膜10上，本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种键盘的电容式薄膜电路板，其特征在于，包括：一第一薄膜，具有一表面，该表面上依序形成有一下电极层、一绝缘层及一上电极层，该下电极层包括多数下电极及连接下电极的线路，该绝缘层是覆盖在下电极层上，该上电极层包括多数上电极，各上电极分别对应于下电极，并分别构成一电容；一第二薄膜，具有一底面，该底面上形成有多个接点电极及连接各接点电极的线路，多数的接点电极并分别对应于第一薄膜上的上电极，且该接点电极和相对的上电极分别构成一开关；一隔离膜，具有一厚度并位于前述第一、第二薄膜间，该隔离膜上形成有多数通孔，各通孔分别对应于第一薄膜上的上电极及第二薄膜上的接点电极。

【技术特征摘要】
1.一种键盘的电容式薄膜电路板，其特征在于，包括：一第一薄膜，具有一表面，该表面上依序形成有一下电极层、一绝缘层及一上电极层，该下电极层包括多数下电极及连接下电极的线路，该绝缘层是覆盖在下电极层上，该上电极层包括多数上电极，各上电极分别对应于下电极，并分别构成一电容；一第二薄膜，具有一底面，该底面上形成有多个接点电极及连接各接点电极的线路，多数的接点电极并分别对应于第一薄膜上的上电极，且该接点电极和相对的上电极分别构成一开关；一隔离膜，具有一厚度并位于前述第一、第二薄膜间，该隔离膜上形成有多数通孔，各通孔分别对应于第一薄膜上的上电极及第二薄膜上的接点电极。2.根据权利要求1所述键盘的电容式薄膜电...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴至炫，
申请(专利权)人：科晶馨科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71