一种叠层薄膜非微晶硅太阳能电池五层结构的设计制造技术

本发明专利技术涉及太阳能光伏发电领域，具体公开了一种叠层薄膜非微晶硅太阳能电池五层结构的设计。该结构包括子层A透明衬底、子层B前TCO(透明导电层)、子层C吸收层(有源层)1，子层D中间层1，子层E吸收层2，子层F中间层2，子层G吸收层3，子层H后TCO，子层I反射层。各子层A-H从下往上依次叠加构成五层叠层太阳电池。该五层结构克服了现有三层非微晶硅叠层太阳电池太阳光谱利用率不足的缺点，利用新加的吸收层和中间层，有效地提高了短波长光的吸收率，并且使得电池整体保持较高的稳定性，其光电转换效率较现有三层结构有较大改进。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能光伏发电领域，具体涉及一种叠层薄膜非微晶硅太阳能电池五 层结构的设计。
技术介绍
叠层太阳电池是指为了拓宽太阳光谱的响应，将传统的单结太阳电池的有源层叠 加在一起，从而提高能量转换效率的一种新型太阳电池。目前硅基薄膜太阳电池仍有着广 泛的应用，本设计正是基于这种材料结构。当仅用非晶硅材料做有源层时，它的光谱吸收限 在700nm附近。倘若采用非晶硅、微晶硅锗双结叠层结构，乃至非晶硅、非晶硅、微晶硅三 结叠层之后，其光谱响应可从700nm拓宽到IOOOnm以至到llOOnm。电池效率则由9%到 11. 7%，直至 15. 1%。在现有的非晶、微晶硅叠层太阳电池中，三层结构的非晶硅顶层、ZnO中间层、微 晶硅底层叠层太阳电池以其较高的能量转换效率和稳定性成为当前科学研究的热点。顶 层电池(top cell)，采用氢化非晶硅薄膜，其带隙宽度在1.75ev左右，来吸收波长较短的 太阳光。在这种三层结构的叠层电池中，顶层a_Si:H的厚度大约为0. 18μπι左右，不超过0.2μ m0这是由于在非晶硅和微晶硅层之间存在SiO中间层(interlayer)的缘故。中间 层并不本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种叠层薄膜非微晶硅太阳能电池五层结构，该结构包括子层Ａ透明衬底、子层Ｂ前ＴＣＯ（透明导电层）、子层Ｃ吸收层（有源层）１，子层Ｄ中间层１，子层Ｅ吸收层２，子层Ｆ中间层２，子层Ｇ吸收层３，子层Ｈ后ＴＣＯ，子层Ｉ反射层。各子层Ａ－Ｈ从下往上依次叠加构成五层叠层太阳电池。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：屈晓升，吕思宇，
申请(专利权)人：北京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：11