场发射器件制造技术

本发明专利技术提供了一种场发射器件，包括：第一基板，栅极线、阴极线和电子发射源形成在该第一基板上；第二基板，面对第一基板并与第一基板间隔开，阳极和磷光体层形成在该第二基板上；和侧框架，围绕第一基板与第二基板之间的区域，并形成密封的内部空间，其中第一基板在第一方向上偏离第二基板预定长度，该第一方向垂直于第一基板和第二基板彼此间隔开的方向，用于施加电压到栅极线和阴极线的后端子部形成在突出所述预定长度的突出区域上，其中阳极端子部的用于施加电压到阳极的一端接触阳极，阳极端子部的另一端暴露于侧框架的外部。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及可以用于场发射显示器件、场发射型背光等等的场发射器件。
技术介绍
场发射器件(FED)以这种方式发光通过围绕发射器形成的强电场，电子从形成在阴极上的发射器发出，发出的电子被加速以与形成在阳极上的磷光体层碰撞。FED可以用作显示器件。特别地，包括在FED中的磷光体层被分成多个像素单元， 基于像素单元确定它的材料，从而分别发出红光、绿光和蓝光。另外，FED根据图像信号控制来自发射器的电子发出，由此显示图像。这种FED甚至可以以最小功耗显示高分辨率且高亮度的彩色图像，因此被期望成为下一代显示器件。另外，FED可以用作非发射型显示面板诸如液晶面板的背光。通常，冷阴极荧光灯和发光二极管已经被用作背光的光源，冷阴极荧光灯是线光源，发光二极管是点光源。然而，这种背光通常具有复杂的结构，光源设置在背光的侧面，从而由于光的透射和反射而导致耗费大量能源。另外，随着液晶面板制造成大尺寸，难以获得均勻的亮度。另一方面，当场发射型背光用作这种背光时，它们以比使用冷阴极荧光灯或发光二极管的背光更低的功耗工作，并且甚至在宽范围发射区域的情况下也可以表现相对均勻的亮度。因此，这些场发射型背光不断地本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种场发射装置，包括：第一基板，栅极线、阴极线和电子发射源形成在该第一基板上；第二基板，面对所述第一基板并与所述第一基板间隔开，阳极和磷光体层形成在该第二基板上；和侧框架，围绕所述第一基板与所述第二基板之间的区域，并形成密封的内部空间，其中所述第一基板在第一方向上偏离所述第二基板预定长度，该第一方向垂直于所述第一基板和所述第二基板彼此间隔开的方向，用于施加电压到所述栅极线和所述阴极线的后端子部形成在突出所述预定长度的突出区域上，其中用于施加电压到所述阳极的阳极端子部的一端接触所述阳极，所述阳极端子部的另一端暴露于所述侧框架的外部。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：赵显升，金在敬，元龙建，柳承权，张东守，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR