一种磨料经过表面活性剂处理的水基切削液及其制备方法技术

一种磨料经过表面活性剂处理的切削液及其制备方法，配制分两步完成：1）将磨料经过表面活性剂处理，形成高分散、高稳定的磨料悬浮液，然后利用高压高剪切微流喷射机将磨料悬浮液进行处理，将少数由于絮凝作用产生的大粒径磨料粉碎，保证整个溶解液中磨料粒径的均匀；2）在制备好的磨料悬浮液中添加功能助剂，包括螯合剂、防锈剂、消泡剂和pH值调节剂，搅拌均匀即得到本切削液。采用这种配制方法从根本上防止了由于大粒径磨料的存在使硅片表面产生较深划痕的情况，减少了硅片后续抛光加工的量，提高了生产效率和产品良率，降低了生产成本。本切削液适合单晶、多晶硅、化合物晶体、宝石等切削加工方面的应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体硅片切割过程中所用切削液的制备，特别是。
技术介绍
随着能源问题的日益突出和人们环保意识的加强，世界各国都非常重视诸如风能、太阳能这些绿色能源的使用，并且不断的加大对相关产业的投入力度。对太阳能的利用主要体现在太阳能光伏发电行业中。随着半导体、光伏产业的迅猛发展，对晶体硅片这个源头产业的发展起到了很大的促进作用，同时对生产晶体硅片的质量提出了更高的要求。晶体硅片的大直径化已经成为了太阳能等硅材料当前的发展趋势，同时要求能够生产出更薄的晶体硅片。在硅片整个生产的过程中，切割是一道非常重要的工艺。传统的切割晶硅棒的方法是内圆切割法，这种方法比较适合直径比较小的晶棒。这种加工方式造成切片截面刀痕粗糙，破碎层、损伤层深、残余应力大、碎片、崩边、断根等问题严重，损伤层深达30-60微米，这样就增加了后续研磨和抛光的加工量，既浪费又降低了加工的效率和成品率。目前， 国内外通用的晶体切割技术为线切割技术，此方法切割的晶片弯曲度小、刀口切割磨损小、 表面的损伤层也是较小。线切割技术中的多线切割是世界通用的、有效的方法。在整个硅片的生产过程中，切割过程中造成的硅材料的损耗成为导致低本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．　．一种磨料经过表面活性剂处理的水基切削液，其特征在于：由磨料、表面活性剂、．螯合剂、防锈剂、消泡剂、ＰＨ值调节剂和溶剂组成，各组分的质量百分含量是：磨料为２０～４０％、表面活性剂为２０％～４５％、螯合剂为０．０１～５％、防锈剂为０．０１～２％、消泡剂为０．１～１％、ＰＨ值调节剂为０．０１～５％并使磨料悬浮液的ＰＨ值为７～１１．５、余量为溶剂。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张楷亮，张涛峰，王芳，额日特，
申请(专利权)人：天津理工大学，
类型：发明
国别省市：12