【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种CXD设计、制造技术,具体涉及一种提高成品率的CXD生产方法。
技术介绍
CCD,电荷耦合器件,是一种半导体元件,能够把光学影像转化为数字信号,也称为CCD 图像传感器。无论两相还是四相CCD均包含四个电极,四个电极分别由四个多晶硅层引出。通常四个多晶硅层采用2次或3次多晶硅方法在硅衬底(硅衬底的材质、结构及其他外围结构与常规结构相同,因它们与本专利技术所涉及的改进点相关性不大,在此不再赘述) 上制作而成。3次多晶硅工艺的具体工艺步骤是制作第一次多晶硅条,进行光刻开槽,将第一次多晶硅条分割为两个多晶硅层(即第一多晶硅层和第二多晶硅层),对分割后得到的两个多晶硅层进行表面氧化;然后再在槽中制作第二次多晶硅条(即形成第三多晶硅层), 然后对第二次多晶硅条进行氧化处理,最后在第一多晶硅层或第二多晶硅层的外侧,制作第三次多晶硅条(即第四多晶硅层),对第三次多晶硅条进行氧化处理;由此形成的四层结构,每层分别引出一电极,根据不同的电极连接方式,形成两相或者四相结构的CCD。若采用加工精度不高的设备,或者利用现有的加工精度低的生产工艺线,制作小尺寸像元时,对 ...
【技术保护点】
1.一种提高成品率的CCD生产方法,其特征在于:制作步骤为:1)制作第一次多晶硅条(1),对第一次多晶硅条(1)表面进行氧化处理;2)与第一次多晶硅条(1)间隔一定距离,制作第二次多晶硅条(2),对第二次多晶硅条(2)表面进行氧化处理;3)在第一次多晶硅条(1)与第二次多晶硅条(2)之间,制作第三次多晶硅条(3),对第三次多晶硅条(3)表面进行氧化处理;4)在第一次多晶硅条(1)或者第二次多晶硅条(2)的外侧,制作第四次多晶硅条(4),对第四次多晶硅条(4)表面进行氧化处理。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:翁雪涛,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第四十四研究所,
类型:发明
国别省市:85
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