【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种NEMS结构的制作方法，尤其是一种基于SOI材料的复杂 NEMS结构的制作方法。
技术介绍
NEMS(nano-electro-mechanical-system,即纳米机电系统)技术是90年代 末基于MEMS (micro-electro-mechanical-system,即微米机电系统)技术而提出 的一个新概念，是指系统特征尺寸和效应上具有纳米技术特点的一类超小型机 电一体的系统。 一般指特征尺寸在亚纳米到数百纳米，以纳米级结构所产生的 新效应(量子效应、界面效应和纳米尺度效应)为工作特征的器件和系统。NEMS有许多特有的性能(1)超小质量NEMS器件的有效质量在a克(10 _18g )量级；(2 )超高频率NEMS器件的机械谐振频率可以高达10GHz (10Hz ) 的微波范围；(3 )超低功耗NEMS器件的功耗很小，其热损耗也在a瓦(10—1SW)， 基于NEMS技术的信号处理器或者计算机系统所消耗的能量只有lpW,这比当前 同等计算能力的计算机系统消耗的能量少了 6个数量级；(4)超高灵敏度NEMS 器件的力灵敏度在10-18牛顿...
【技术保护点】
一种基于ＳＯＩ材料的复杂ＮＥＭＳ结构的制作方法，包括以下步骤： １）ＳＯＩ材料的顶层硅片采用热氧化方法氧化，生成二氧化硅，减薄硅片厚度， ２）利用光刻和湿法腐蚀方法将二氧化硅上焊盘、布线以及电子束对位标记对应区域的二氧化硅腐蚀掉， ３）将步骤２）生成的区域采用磁控溅射方法生成金属层，并剥离出焊盘、布线以及电子束对位标记， ４）采用电子束光刻和湿法腐蚀方法将ＮＥＭＳ结构图形区域的二氧化硅腐蚀掉，使ＮＥＭＳ结构图形转移到顶层硅片上， ５）采用感应耦合等离子刻蚀方法将ＮＥＭＳ结构图形对应区域的硅片刻蚀掉，形成ＮＥＭＳ结构， ６）采用ＨＦ腐蚀ＮＥＭＳ结构下ＳＯＩ材料上的二氧化硅牺牲...
【技术特征摘要】
1、一种基于SOI材料的复杂NEMS结构的制作方法，包括以下步骤1)SOI材料的顶层硅片采用热氧化方法氧化，生成二氧化硅，减薄硅片厚度，2)利用光刻和湿法腐蚀方法将二氧化硅上焊盘、布线以及电子束对位标记对应区域的二氧化硅腐蚀掉，3)将步骤2)生成的区域采用磁控溅射方法生成金属层，并剥离出焊盘、布线以及电子束对位标记，4)采用电子束光刻和湿法腐蚀方法将NEMS结构图形区域的二氧化硅腐蚀掉，使NEMS结...
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