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本发明公开了一种基于SOI材料的复杂NEMS结构的制作方法，包括以下步 骤：1)SOI材料的顶层硅片采用热氧化方法氧化，减薄硅片厚度，2)利用光刻和 湿法腐蚀方法将二氧化硅上焊盘、布线以及电子束对位标记对应区域的二氧化 硅腐蚀掉，3)采用磁...
该专利属于罗蓉;杨拥军所有，仅供学习研究参考，未经过罗蓉;杨拥军授权不得商用。

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