【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及激光装置,特别是一种具有长焦深的激光装置。
技术介绍
随着半导体技术与加工技术的进步,各式电子元件及光学元件日趋小型化。半导体技术中的微影制程(Lithography),或是加工技术中的激光加工,都开始采用短波长的紫外光激光装置(UV Laser)以使电子元件或光学元件的特征尺寸(Feature size)及解析度(Resolution)达到要求。由于解析度R反比于λ/NA(λ为激光波长,NA为数值孔径),焦深DOF(Depth of Focus)正比于λ/NA2,在此可理解为激光作用的有效深度正比于λ/NA2,因此若解析度(用激光光斑大小进行评估)提高,则焦深就会下降。焦深的下降将会影响被加工物件的表面品质,例如锐利度(Sharpness)降低、粗糙度增加。因此,如何提供一种能够使电子元件或光学元件具有较高解析度,且具有长焦深的紫外光激光装置便成为值得研发的课题。 现有技术中采用色差透镜(Lens with chromatic aberration)将宽频(wide band)激光或多波长激光的焦点群集成一线段(不同频段的光束被聚焦在不 ...
【技术保护点】
一种具有长焦深的激光装置,包括: 一个激光源,其用于发射单波长紫外光; 一个光学模组,其包括一个与设置在该单波长紫外光光路上的第一光学元件,该第一光学元件具有一个邻近该激光源的第一表面及一个与该第一表面相对的第二表面,该第一表面与该第二表面中至少一者为非球面以用于使所述单波长紫外光会聚于一点。
【技术特征摘要】
1.一种具有长焦深的激光装置,包括一个激光源,其用于发射单波长紫外光;一个光学模组,其包括一个与设置在该单波长紫外光光路上的第一光学元件,该第一光学元件具有一个邻近该激光源的第一表面及一个与该第一表面相对的第二表面,该第一表面与该第二表面中至少一者为非球面以用于使所述单波长紫外光会聚于一点。2.如权利要求1所述的激光装置,其特征在于,该第一表面或该第二表面为球面。3.如权利要求1所述的激光装置,其特征在于,该第一表面或该第二表面为平面或圆柱面。4.如权利要求1所述的激光装置,其特征在于,该第一光学元件为一锥形透镜。5.如权利要求1所述的激光装置,其特征在于,该光学模组进一步包括一个第二光学元件,该第二光学元件设置在该第一光学元件的远离该激光源的一侧,该第二光学元件具有一个邻近该第一光学元件的第三表面及与该第三表面相对的第四表面。6.如权利要求5所述的激光装置,其特征在于,该第三表面与该第四表面中至少一...
【专利技术属性】
技术研发人员:韦安琪,陈志隆,
申请(专利权)人:富士迈半导体精密工业上海有限公司,沛鑫能源科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。