发光二极管制造技术

本实用新型专利技术是关于一种发光二极管，包括：一磊晶芯片、一P型电极以及一N型电极，该磊晶芯片的顶面设有多个轮廓不规律的凹槽，该凹槽的表面呈粗糙状，且该磊晶芯片的顶面亦呈粗糙状，该P型电极形成于该磊晶芯片上，该P型电极与该磊晶芯片电性耦合以及该N型电极形成于该磊晶芯片上，该N型电极与该磊晶芯片电性耦合，由此，以达到增加发光面积以及减少光源耗损的功效。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术是关于一种发光二极管，特别是指一种可增加发光面积以及减少光源耗损的发光二极管。
技术介绍
在中国台湾，发光二极管发展的非常迅速，不管是大至街道上的显示广告牌，或小至手机的指示灯，都已逐渐由LED取代传统光源，原因很简单，因为较省电，使用寿命长以及体积小...等优点，然而，该发光二极管的成品与工艺流程虽然已趋向稳定，但还是会有缺失，如图4及图5所示，为现有的发光二极管前视图及俯视图，包含：一P型磊晶层41、一发光层42、一N型磊晶层43、一缓冲层44、一基板45、一P型电极46以及一N型电极47，其晶粒制作为在基板45上以有机金属化学气相沉积法依序磊晶成长该缓冲层44、N型磊晶层43、发光层42以及P型磊晶层41，最后再电性耦合P型电极46以及N型电极47，完成整个工艺流程；当发光时，光源是由发光层42向P型磊晶层41的表面射出，由于该光源必须层层通过，使得光输出的路径较长，且该光源射出的面积也仅有P形磊晶层41的表面。因此，如何设计出一种可增加发光面积的创作，乃为本案创作人所亟欲解决的一大课题。
技术实现思路
本技术的目的之一在于提供一种发光二极管，通过磊晶芯片表面设有多个轮廓不规律的凹槽的特殊设计，可减少光输出路径以及增加发光面积，以达到提升发光效率的功效。本技术的目的之二在于提供一种发光二极管，通过磊晶芯片的顶面呈粗糙状，为非平坦式的设计，改变临界角，减少了布拉格全反射，减少光源的耗损，使出光效果佳。为达上述目的，本技术提供一种发光二极管，包括：一磊晶芯片、一P型电极以及一N型电极，该磊晶芯片的顶面设有多个轮廓不规律的凹槽，该凹槽的表面呈粗糙状，且该磊晶芯片的顶面亦呈粗糙状，该P型电极形成于该磊晶芯片上，该P型电极与该磊晶芯片电性耦合以及该N型电极形成于该磊晶芯片上，该N型电极与该磊晶芯片电性耦合。其中，该磊晶芯片是由一P型磊晶层、一发光层以及一N型磊晶层由上而下依序结合而成。其中，该P型电极设置于P型磊晶层表面。其中，该P型磊晶层为铝砷化镓层。其中，N型电极设置于N型磊晶层的底面。其中，该N型磊晶层为铝砷化镓层。本技术的有益效果，本技术通过磊晶芯片表面设有多个轮廓不规律的凹槽的特殊设计，可减少光输出路径以及增加发光面积，以达到提升发光效率的功效；通过磊-->晶芯片的顶面呈粗糙状，为非平坦式的设计，改变临界角，减少了布拉格全反射，减少光源的耗损，使出光效果佳。附图说明图1为本技术的发光二极管的前视图。图2为本技术的发光二极管的俯视图。图3为本技术的发光二极管的使用状态图。图4为现有的发光二极管的前视图。图5为现有的发光二极管的俯视图。主要元件符号说明1  磊晶芯片10 凹槽11 P型磊晶层12 发光层13 N型磊晶层2  P型电极3  N型电极41 P型磊晶层42 发光层43 N型磊晶层44 缓冲层45 基板46 P型电极47 N型电极具体实施方式为了能够更进一步了解本技术的特征、特点和
技术实现思路
，请参阅以下有关本技术的详细说明与附图，惟所附图式仅提供参考与说明用，非用以限制本技术。请参阅图1及图2所示，为本技术发光二极管的前视图以及俯视图，该发光二极管包括：一磊晶芯片1、一P型电极(P Electrode)2以及一N型电极(N Electrode)3。该磊晶芯片1的顶面设有多个轮廓不规律的凹槽10，该凹槽10的表面呈粗糙状，且该磊晶芯片的顶面亦呈粗糙状，为非平坦式的设计，该P型电极2形成于该磊晶芯片4上，该P型电极2与该磊晶芯片1电性耦合以及该N型电极3形成于该磊晶芯片1上，该N型电极3与该磊晶芯片1电性耦合。其中，该磊晶芯片1是由一P型磊晶层11、一发光层以12及一N型磊晶层13由上而下依序结合而成，该P型电极2设置于P型磊晶层11表面，该P型磊晶层11为铝砷化镓层(AlGaAs P Epi.Layer)，该N型电极3设置于N型磊晶层13的底面，该N型磊晶13层为铝砷化镓层(AlGaAs N Epi.Layer)。请参阅图3所示，为本技术发光二极管的使用状态图，该发光二极管是通过-->湿式蚀刻方式在磊晶芯片1的表面形成多个轮廓不规律的凹槽10，因该多个凹槽1所形成的面积增加，于是，当发光层12将光源射出，该光源则经由各该凹槽10的各面以及磊晶芯片1的表面射出，增加发光面积，又因该凹槽10与该发光层12的距离缩短，可减少光输出路径，有效提升该发光效率，再者，因该磊晶芯片1的顶面亦呈粗糙状，为非平坦式的设计，因此，改变了光源射出的临界角，减少了布拉格全反射，减少光源的耗损，使出光效果佳。综上所述，本技术的发光二极管的特点在于：通过磊晶芯片1表面设有多个轮廓不规律的凹槽10的特殊设计，可减少光输出路径以及增加发光面积，以达到提升发光效率的功效，再通过磊晶芯片1的顶面亦呈粗糙状，为非平坦式的设计，改变临界角，减少了布拉格全反射，减少光源的耗损，使出光效果佳。以上所述，仅为本技术的较佳可行实施例而已，非因此即局限本技术的专利范围，举凡运用本技术说明书及图式内容所为的等效结构变化，均理同包含于本技术的权利要求范围内。-->本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光二极管，其特征在于，包括：一磊晶芯片，该磊晶芯片的顶面设有多个轮廓不规律的凹槽，该凹槽的表面呈粗糙状，且该磊晶芯片的顶面亦呈粗糙状；一Ｐ型电极，形成于该磊晶芯片上，该Ｐ型电极与该磊晶芯片电性耦合；以及一Ｎ型电极，形成于该磊晶芯片上，该Ｎ型电极与该磊晶芯片电性耦合。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：一磊晶芯片，该磊晶芯片的顶面设有多个轮廓不规律的凹槽，该凹槽的表面呈粗糙状，且该磊晶芯片的顶面亦呈粗糙状；一P型电极，形成于该磊晶芯片上，该P型电极与该磊晶芯片电性耦合；以及一N型电极，形成于该磊晶芯片上，该N型电极与该磊晶芯片电性耦合。2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该磊晶芯片是由P型磊晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚正，杨政达，温祥一，
申请(专利权)人：鼎元光电科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71