半导体集成电路及其制造方法、使用该电路的半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术名称为半导体集成电路及其制造方法、使用该电路的半导体装置。在半导体衬底中形成通孔的工序或对半导体衬底从背面进行抛光的工序需要非常长的时间，这成为产率降低的原因。另外，由于层叠有半导体衬底，所以被层叠而形成的半导体集成电路变厚，机械柔软性低。本发明专利技术的技术要点如下：在多个衬底上形成剥离层，并在剥离层上形成半导体元件及用来形成贯穿布线的开口部。然后，从衬底剥离具有半导体元件的层并层叠它们，并通过在开口部中形成具有导电性的层形成贯穿布线，以制造半导体集成电路。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术申请是本专利技术申请人于2007年4月28日提交的申请号为200710100943.1的专利技术申请的分案申请。
本专利技术涉及通过层叠半导体元件而形成的半导体集成电路。
技术介绍
正在对通过层叠形成有集成电路的半导体衬底谋求半导体集成电路的高集成化的技术进行研究开发。通过顺序层叠形成有集成电路的半导体衬底，制造这种通过层叠半导体而形成的半导体集成电路。在通过层叠半导体而形成的半导体集成电路中，在每个半导体衬底上形成集成电路并使所述半导体衬底薄片化等来层叠它们。(例如，参照专利文件1和2)。专利文件1日本专利申请公开平6-61418号公报专利文件2日本专利申请公开2001-189419号公报但是，在以往的通过层叠半导体而形成的半导体集成电路的制造方法中，在进行蚀刻等来在半导体衬底的一部分中形成开口部之后，通过对半导体衬底从背面进行抛光形成贯穿孔(也称为通孔)。然后，在该贯穿孔中通过蒸发沉积法或镀敷法形成布线，以连接形成在各半导体衬底上的集成电路。像这样在半导体衬底中形成通孔的工序或对半导体衬底从背面进行抛光的工序需要非常长的时间，这成为产率降低的原因。另外，在半导体衬底中形本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种用于制造半导体装置的方法，包括：在第一衬底上形成第一释放层；在所述第一释放层上形成晶体管；在所述晶体管上形成第四绝缘层；在所述第四绝缘层中形成第一开口，以通过所述第一开口来暴露所述第一释放层；在所述第一开口中和所述第四绝缘层上形成导电层，以在所述第一开口的底部上提供所述导电层并将所述导电层连接到所述晶体管；分离所述第一衬底和所述第一释放层，以暴露所述导电层的后表面；在第二衬底上形成第二释放层；在所述第二释放层上形成包括第二开口和第二半导体元件的第二元件形成层，所述第二一开口和所述第二开口中以及在所述导电层上滴落导电材料来形成布线，所述布线电连接所述晶体管和所述第二元件形成层。半导体元件...

【技术特征摘要】
2006.04.28 JP 2006-1263291.一种用于制造半导体装置的方法，包括：在第一衬底上形成第一释放层；在所述第一释放层上形成晶体管；在所述晶体管上形成第四绝缘层；在所述第四绝缘层中形成第一开口，以通过所述第一开口来暴露所述第一释放层；在所述第一开口中和所述第四绝缘层上形成导电层，以在所述第一开口的底部上提供所述导电层并将所述导电层连接到所述晶体管；分离所述第一衬底和所述第一释放层，以暴露所述导电层的后表面；在第二衬底上形成第二释放层；在所述第二释放层上形成包括第二开口和第二半导体元件的第二元件形成层，所述第二半导体元件包括第二半导体层和夹住所述第二半导体层的第二绝缘两层；从所述第二衬底分离所述第二元件形成层，所分离的第二开口是通孔；在所述第四绝缘层和所述导电层上布置所述第二元件形成层，使得所述第一开口和所分离的第二开口彼此重叠；以及通过在所述第一开口和所述第二开口中以及在所述导电层上滴落导电材料来形成布线，所述布线电连接所述晶体管和所述第二元件形成层。2.根据权利要求1所述的用于制造半导体装置的方法，其中所述第一衬底选自包括具有其表面上形成的绝缘膜的金属板和硅片、蓝宝石衬底、塑料衬底、石英衬底、玻璃衬底的组。3.根据权利要求1所述的用于制造半导体装置的方法，其中所述第二衬底选...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口真弓，泉小波，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP