【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种太阳能电池的生产方法，尤其是一种通过一步扩散法实现发射极 及表面场的生产方法。
技术介绍
目前，国内各大太阳能公司生产的晶体硅太阳能能电池都是P-型硅基体，但是 由于η-型硅基体对杂志的抵抗性较大，且没有光致衰减问题，理论上可以取得更高的效 率，事实上德国，美国，日本等发达国家对可再生能源尤其是太阳能资源的重视，已经在 η-型太阳能电池的研究和生产方面取得了很大的突破，如德国弗劳恩霍夫太阳能系统研 究所(Fraimhofer ISE)宣布，该机构研制的以η型单晶硅太阳能电池，其转换效率达到了 23. 4%。美国Simpower公司的η-型背接触太阳能电池，其最高效率达到24. 3%，其已经实 现量产多年，另外，日本三洋公司的HIT电池，其转换效率达到23%，且已经量产，不过，上 述η-型太阳能电池工艺过程复杂，成本高。在这种形势下，研究并生产适合大规模生产的 N型晶体硅太阳电池意义非常重大。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提出一种工艺简单，成本较低，适合大规模生产的 η-型硅太阳能电池工艺方法。本专利技术所采用的技术方案为以η型直拉单晶硅为基体，表面有随机分布的正金 字塔绒面结构，硅片的正面是覆盖有SiN减反膜的磷扩散制备的表面场，表面场上是印有 银金属电极，背面是有AL层扩散制备的P-型发射结。表面场和发射结是在高温链式扩散 炉中进行同时扩散，或者是放入管式扩散炉通P0C13扩散形成的。具体的工艺步骤为1)将硅片表面清洗，并在硅片表面形成正金字塔绒面结构；2)在硅片背面蒸镀或溅射铝层；3)用盐酸清洗去除表面悬浮颗粒，然后用去离...
【技术保护点】
１．一种一步扩散制备Ｎ型太阳能电池的方法，其特征在于包括以下步骤：１）将硅片表面清洗，并在硅片表面形成正金字塔绒面结构；２）在硅片背面蒸镀或溅射铝层；３）用盐酸清洗去除表面悬浮颗粒，然后用去离子水清洗；４）在硅片正面喷涂磷酸或印刷磷浆，将硅片在高温链式扩散炉中进行扩散或放入管式扩散炉中通过ＰＯＣｌ３扩散，在硅片表面同时形成表面场和发射结；５）ＰＳＧ清洗，正面镀ＳｉＮ减反膜，印刷正面电极并烧结，然后用激光刻蚀边缘。
【技术特征摘要】
1.一种一步扩散制备N型太阳能电池的方法，其特征在于包括以下步骤1)将硅片表面清洗，并在硅片表面形成正金字塔绒面结构；2)在硅片背面蒸镀或溅射铝层；3)用盐酸清洗去除表面悬浮颗粒，然后用去离子水清洗；4)在硅片正面喷涂磷酸或印刷磷浆，将硅片在高温链式扩散炉中进行扩散或放入管式 扩散炉中通过P0C13扩散，在硅片表面同时形成表面场和发射结；5)PSG清洗，正面镀SiN减反膜，印刷正面电极并烧结，然后用激光刻蚀边缘。2.如权利要求1所述的一步扩散制备N型太阳能电池的方法，其特征在于所述的硅...
【专利技术属性】
技术研发人员：张学玲，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
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