薄片状粘接剂及晶片加工用胶带制造技术

本发明专利技术提供半导体芯片与引线框或封装基板等之间粘接力优异、且能捕获粘接剂层内部的离子性杂质的薄片状粘接剂、及使用该薄片状粘接剂制作的晶片加工用胶带、以及使用该薄片状粘接剂制作的半导体装置。薄片状粘接剂１２含有利用螯合剂改性的螯合物改性固化树脂作为粘接剂层组合物，并且螯合物改性环氧树脂相对于固化树脂成分的配合比例为１０质量％以下，且相对于固化树脂成分量１００质量份，重均分子量为１０万以上的高分子量化合物成分量为４０～１００质量份。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄片状粘接剂及晶片加工用胶带。
技术介绍
半导体装置的制造工序中，实施下述工序将半导体晶片切断分离(切割)成半导 体芯片单元的工序；拾取(pick up)分离后的半导体芯片的工序；以及将拾取的半导体芯 片粘接于引线框或封装基板等的管芯焊接(装配)工序。近年，作为用于上述半导体装置的制造工序的晶片加工用胶带，例如提出了在基 材膜上设置了粘贴剂层的晶片加工用胶带、或具有在粘贴剂层上进一步层叠了粘接剂层的 结构的晶片加工用胶带(切割管芯焊接薄膜DDF)，并已实际应用。此处，像F0W(Film on Wire)系半导体装置那样，在粘接剂层接触半导体芯片的导 通用电线的情况下，导通用电线被处于粘接剂层内部的离子性杂质腐蚀，有时会发生电路 短路。为了解决上述问题，提出了减轻粘接剂层内部的离子性杂质的量的方法或添加离子 捕获剂的方法(参见专利文献1)。专利文献专利文献1日本特开2007-63549号公报
技术实现思路
但是，在上述减轻粘接剂层内部的离子性杂质的量的方法中，有为了减少离子性 杂质的量而花费大量成本的问题。另外，专利文献1所述的粘接剂层中，通过添加无机系离 子捕获剂来抑制金属腐蚀，但由于该方法中粘接剂层的粘接力降低，所以必须使用粘接力 提高剂，从而有制造成本增加的问题。另外，无机系离子捕获剂本身有给导通用电线带来物 理性损坏的问题，即导通用电线埋入粘接剂层时有无机系离子捕获剂与导通用电线接触而 使导通用电线变形的问题。为此，本专利技术是为了解决上述问题而得到的，目的在于提供半导体芯片与引线框 或封装基板等之间的粘接力优异、且能捕获粘接剂层内部的离子性杂质的薄片状粘接剂， 及使用该薄片状粘接剂制作的晶片加工用胶带以及使用该薄片状粘接剂制作的半导体装置。本专利技术人等对上述课题进行了潜心研究，结果发现作为薄片状粘接剂组合物，含 有螯合物改性环氧树脂，可以制作能捕获薄片状粘接剂内部的离子性杂质的薄片状粘接 剂。另外，通过使用该薄片状粘接剂，可以制作能捕获粘接剂层内部的离子性杂质的晶片加 工用胶带。还发现通过使用该薄片状粘接剂，可以制作导通性优异且抑制离子性杂质导致 的金属腐蚀的耐湿性及高温放置特性优异的FOW系半导体装置，从而完成了本专利技术。S卩，本专利技术第1方案的薄片状粘接剂的特征在于，作为固化树脂成分，含有被热或 高能量射线固化的固化树脂和使环氧基固化的环氧固化剂，其中，所述固化树脂的一部分 或全部是螯合物改性环氧树脂，所述固化树脂成分中含有10质量％以上所述螯合物改性环氧树脂，相对于100质量份所述固化树脂成分量，含有40 100质量份重均分子量为10 万以上的高分子量化合物成分量。本专利技术第2方案的薄片状粘接剂的特征在于，在本专利技术第1方案的薄片状粘接剂 中，所述高分子量化合物成分是丙烯酸树脂共聚物。本专利技术第3方案的薄片状粘接剂的特征在于，在上述本专利技术的第1或第2方案的 薄片状粘接剂中，相对于所述薄片状粘接剂的总量，以40 70质量％的比例含有无机填充 剂。本专利技术第1方案的晶片加工用胶带的特征在于，具有在基材膜上层叠有粘贴剂层 的粘贴膜，上述本专利技术的第1至3中任一个方案的薄片状粘接剂层叠于所述粘贴膜的所述 粘贴剂层。本专利技术第1方案的半导体装置的特征在于，使用上述本专利技术的第1至3中任一个 方案的薄片状粘接剂来制作。根据本专利技术，可以制作能捕获薄片状粘接剂内部的离子性杂质的薄片状粘接剂。 另外，通过使用该薄片状粘接剂，可以制作能捕获薄片状粘接剂内部的离子性杂质的晶片 加工用胶带。另外，与用减少离子性杂质的方法或添加离子捕获剂的方法制作的薄片状粘 接剂及晶片加工用胶带相比，可以廉价地制作本专利技术的该薄片状粘接剂及该晶片加工用胶 带。另外，通过使用该薄片状粘接剂，可以制作导通性优异且抑制离子性杂质导致的金属腐 蚀的耐湿性及高温放置特性优异的FOW系半导体装置。另外，通过减少高分子量化合物成 分来柔化薄片状粘接剂，在FOW系半导体装置的制造工序中，可以在薄片状粘接剂中容易 地埋入导通用电线。附图说明图1是表示本专利技术的一个实施方案的使用了薄片状粘接剂12的粘接膜的截面 图。图2是表示专利技术的一个实施方案的晶片加工用胶带的截面图。图3是表示专利技术的一个实施方案的FOW系半导体装置的截面图。符号说明10:晶片加工用胶带11 脱模膜12 粘接剂层13 粘贴膜13a 基材膜13b 粘贴剂层20 粘接膜30 =FOff系半导体装置31、31a、31b、31c、31d、31e 半导体芯片32 实装基板33:导通用电线34:凸块电极435 粘接剂 具体实施例方式以下基于附图详细说明本专利技术的实施方案。图1是表示使用了本专利技术一个实施方案的薄片状粘接剂12的粘接膜20的截面 图。如图1所示，粘接膜20具有下述构成，即在脱模膜11上层叠有本专利技术的薄片状粘 接剂12。需要说明的是，粘接膜20也可以是下述构成的粘接膜，并卷绕成辊状，所述构成是 在与设置有脱模膜11的面相反的薄片状粘接剂12的面上进一步层叠与脱模膜11不同的 脱模膜。另外，上述薄片状粘接剂12可以根据使用工序或装置预先切断(预剪切)成规定 的形状。然后，说明在于基材膜上层叠了粘贴剂层的粘贴膜的粘贴剂层上层叠有本专利技术的 薄片状粘接剂12的晶片加工用胶带(切割管芯焊接薄膜)。图2是表示本专利技术一个实施方 案的晶片加工用胶带10的截面图。如图2所示，本专利技术的一个实施方案的晶片加工用胶带10具有粘贴膜13和层叠 于该粘贴膜13上的薄片状粘接剂12，所述粘贴膜13由膜状的基材膜13a和形成于其上的 粘贴剂层13b构成。由此，晶片加工用胶带10中，依次形成基材膜13a、粘贴剂层13b和薄 片状粘接剂12。需要说明的是，粘贴剂层13b可以具有一层粘贴剂层的构成，也可以具有二层以 上的粘贴剂层层叠的构成。另外，图2表示还在薄片状粘接剂12上设置脱模膜11的情况 的晶片加工用胶带10。粘贴膜13及薄片状粘接剂12可以根据使用工序或装置预先切断(预剪切)成规 定形状。本专利技术的晶片加工用胶带10包括切断成一张张半导体晶片的形态和将多个半导 体晶片形成的长条膜卷绕成辊状的形状。然后，说明使用上述薄片状粘接剂12，将半导体芯片焊接在封装基板而制作的 FOff系半导体装置。图3是表示本专利技术的一个实施方案的FOW系半导体装置30的截面图。如图3所示，本专利技术的一个实施方案的FOW系半导体装置30具有多层(图3中为 5层)的半导体芯片31 (31a、31b、31C、31d、31e)、实装半导体芯片31的实装基板32、将各半 导体芯片31与实装基板32电连接的导通用电线33、用于将实装基板32与电子设备(未图 示)电连接的凸块电极34。另外，半导体芯片31构成由薄片状粘接剂12粘接了各半导体 芯片31彼此之间的层叠构造。另外，最下部的半导体芯片31e与实装基板32由粘接剂35 粘接。需要说明的是，粘接剂35可以是薄片状粘接剂12，也可以是糊剂状的粘接剂。另外，将不包括最上部的半导体芯片31a在内的各半导体芯片31 (31b、31c、31d、 31e)与实装基板32电连接的导通用电线33具有导通用电线33的一部分埋入薄片状粘接 剂12中的构成。通过设定成将导通用电线33埋入薄片状粘接剂12中的构成，在电线焊接中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄片状粘接剂，其特征在于，作为固化树脂成分，含有被热或高能量射线固化的固化树脂和使环氧基固化的环氧固化剂，所述固化树脂的一部分或全部是螯合物改性环氧树脂，所述固化树脂成分中含有１０质量％以上的所述螯合物改性环氧树脂，相对于１００质量份所述固化树脂成分量，含有４０～１００质量份的重均分子量为１０万以上的高分子量化合物成分量。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：石黑邦彦，盛岛泰正，石渡伸一，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]