【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
近年来，由于CO2的过度排放所导致的气候变暖和高油价，在未来能源逐渐变成左 右人类生存的最重要的问题。虽然存在风力、生物燃料、氢燃料电池等很多新的可再生能源 技术，但是作为所有能源基础的太阳能是无限的清洁能源，因此利用太阳光的光电装置备 受瞩目。入射到地球表面的太阳光相当于120，000TW，因此，在理论上由光电转换效率 (conversion efficiency)为10%的光电装置，只要覆盖地球陆地面积的0. 16%，可以产 生两倍于全球一年消耗能源的20TW电力。实际上，在过去的十年，全球的太阳光市场每年以40%的速度高速增长。目前，光 电装置市场的90%由单晶硅(single-crystalline)或者多晶硅(multi-crystalline or poly-crystalline)等块(bulk)型硅光电装置占有。但是，由于作为主要原料的太阳能级 硅片(Solar-grade silicon wafer)的生产满足不了爆发性的需求，因此在全球范围内发 生缺货现象，这成为降低生产成本的一大障碍。与此相反，使用氢化非晶硅(...
【技术保护点】
一种光电装置，包括：基板；第一单元电池，位于上述基板上，且包括ｐ型窗层、ｉ型光电转换层以及ｎ型层；中间反射膜，位于上述第一单元电池上，且包括以越远离光入射一侧碳或者氮浓度越变大方式进行剖面分布的氢化ｎ型微晶碳化硅或氢化ｎ型微晶氮化硅；第二单元电池，位于上述中间反射膜上，且包括ｐ型窗层、ｉ型光电转换层以及ｎ型层。
【技术特征摘要】
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