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本发明提供光电装置及其制造方法，该装置包括：基板；第一单元电池，位于上述基板上，且包括ｐ型窗层、ｉ型光电转换层以及ｎ型层；中间反射膜，位于上述第一单元电池上，且包括以越远离光入射一侧碳或者氮浓度越变大的方式进行剖面分布的氢化ｎ型微晶碳化硅或...
该专利属于韩国铁钢株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过韩国铁钢株式会社授权不得商用。

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