半导体激光装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够抑制半导体激光元件的大型化，并且抑制发光部间隔变大，提高生产率的半导体激光装置。该半导体激光装置具备：第一半导体激光元件；第二半导体激光元件，其是单片型的多波长半导体激光元件。第二半导体激光元件包括半导体基板，第二半导体激光元件的半导体基板的侧面中的与第一半导体激光元件相对置的侧面相对于半导体基板的主面的法线方向倾斜成随着离开搭载部件而与第一半导体激光元件的距离变大。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体激光装置，尤其涉及具备多个半导体激光元件的半导体激光装置。
技术介绍
以往，已知有具备多个半导体激光元件的半导体激光装置(例如，参照日本特开 2005-327905 号公报)。在上述日本特开2005-327905号公报中，公开了一种半导体发光装置(半导体激 光装置)，其具备CD(Compact Disc)及DVD(Digital VersatileDisc)的记录、再生等中使 用的二波长的发光元件(多波长半导体激光元件)；BD(BlU-ray Disc (注册商标))的记 录、再生等中使用的一波长的发光元件(半导体激光元件)；搭载它们的支承基体(搭载部 件)。在该半导体发光装置中，二波长的发光元件和一波长的发光元件在层叠的状态下 搭载于支承基体。具体来说，以使二波长的发光元件的发光点(发光部)侧与一波长的发 光元件的发光点侧相面对的方式在一波长的发光元件上搭载二波长的发光元件。并且，一 波长的发光元件的背面侧(与发光点相反侧)安装于支承基体。然而，在上述日本特开2005-327905号公报中，为了在一波长的发光元件(半导体 激光元件)上接合二波长的发光元件(多波长半导体激光元件)，而需要绝缘层的蒸镀或粘 结层的蒸镀等多个工序，从而存在半导体发光装置(半导体激光装置)的生产率降低的问 题点。为了改善半导体发光装置的生产率，考虑有不层叠二波长的发光元件和一波长的 发光元件而将各发光元件并列安装在支承基体上的方法。这种情况下，存在二波长的发光 元件的发光点(尤其是配置在与一波长的发光元件相反侧的发光点)与一波长的发光元件 的发光点的距离容易变大的问题点。上述发光点间的距离变大时，难以将从发光点射出的 光所照射的透镜等光学部件共用化成二波长的发光元件用和一波长的发光元件用，因此在 一个半导体发光装置上搭载二波长的发光元件和一波长的发光元件的优点方面较差。另外，在上述日本特开2005-327905号公报中，由于在一波长的发光元件上搭载 二波长的发光元件，因此需要在一波长的发光元件上形成搭载二波长的发光元件的电极， 并且需要在该电极上接合外部连接用的引线。因此，需要将电极形成为足够的尺寸，需要将 一波长的发光元件形成为具有大于二波长的发光元件的面积。由此，存在一波长的发光元 件大型化的问题点。
技术实现思路
本专利技术为了解决上述课题而提出，其目的在于，提供一种能够抑制半导体激光元 件的大型化，并且抑制发光部间隔变大，提高生产率的半导体激光装置。为了实现上述目的，本专利技术的一方面的半导体激光装置具备第一半导体激光元件；第二半导体激光元件，其与第一半导体激光元件相邻配置，且是单片型的多波长半导体 激光元件；搭载部件，其通过下连接(jimctiondown)方式搭载第一半导体激光元件及第二 半导体激光元件，第二半导体激光元件包括半导体基板，第二半导体激光元件的半导体基 板的侧面中的与第一半导体激光元件相对置的侧面相对于半导体基板的主面的法线方向 倾斜成随着离开搭载部件而与第一半导体激光元件的距离变大。在该一方面的半导体激光装置中，如上所述，通过利用下连接方式将第一半导体 激光元件及第二半导体激光元件搭载在搭载部件上，能够减小第一半导体激光元件的发光 部与搭载部件的距离，并且能够减小第二半导体激光元件的发光部与搭载部件的距离。由 此，在第一半导体激光元件的发光部与第二半导体激光元件的发光部之间的相对距离中， 能够减小第一半导体激光元件及第二半导体激光元件的厚度方向的距离。而且，与利用上 连接(junction up)方式将第一半导体激光元件及第二半导体激光元件搭载在搭载部件上 的情况相比，能够将第一半导体激光元件的发光部及第二半导体激光元件的发光部的高度 位置的误差抑制为非常小。而且，能够将第一半导体激光元件的发光部及第二半导体激光 元件的发光部产生的热量高效地传递给搭载部件，因此能够提高第一半导体激光元件及第 二半导体激光元件的散热性。另外，在一方面的半导体激光装置中，如上所述，通过利用下连接方式将第一半导 体激光元件及第二半导体激光元件搭载在搭载部件上，而不同于层叠第一半导体激光元件 和第二半导体激光元件的情况，无需用于将第一半导体激光元件和第二半导体激光元件接 合的多个工序。由此，能够抑制半导体激光装置的生产率降低。而且，在一方面的半导体激 光装置中，不同于层叠第一半导体激光元件和第二半导体激光元件的情况，无需使一个半 导体激光元件(例如第一半导体激光元件)大型化，因此能够抑制半导体激光元件大型化 的情况。另外，在一方面的半导体激光装置中，如上所述，使第二半导体激光元件的半导体 基板的侧面中的与第一半导体激光元件相对置的侧面相对于半导体基板的主面的法线方 向倾斜成随着离开搭载部件而与第一半导体激光元件的距离变大。由此，相比较于使第二 半导体激光元件的半导体基板的侧面中的与第一半导体激光元件相对置的侧面相对于半 导体基板的主面的法线方向倾斜成随着离开搭载部件而与第一半导体激光元件的距离变 小的情况，能够使第一半导体激光元件的发光部接近第二半导体激光元件的发光部配置。 因此，能够抑制第一半导体激光元件的发光部与第二半导体激光元件的发光部的距离变 大。其结果是，通过第一半导体激光元件和第二半导体激光元件能够共用从发光部射出的 光所照射的透镜等光学部件，因此能够抑制部件个数的增加，并且能够抑制装置整体的大 型化。在上述一方面的半导体激光装置中，优选的是，第一半导体激光元件具有射出激 光的第一发光部，第一发光部配置在比第一半导体激光元件的中心靠第二半导体激光元件 侧。如此构成时，能够使第一半导体激光元件的第一发光部更接近第二半导体激光元件配 置。由此，能够进一步抑制第一半导体激光元件的第一发光部与第二半导体激光元件的发 光部的距离变大的情况。在上述一方面的半导体激光装置中，优选的是，第二半导体激光元件具有分别射 出波长相互不同的激光的第二发光部及第三发光部，第二发光部与第三发光部的中心位于比第二半导体激光元件的半导体基板的主面的中心靠第一半导体激光元件侧。如此构成 时，能够使第二半导体激光元件的第二发光部及第三发光部更接近第一半导体激光元件配 置。由此，能够进一步抑制第二半导体激光元件的第二发光部及第三发光部与第一半导体 激光元件的发光部的距离变大的情况。在上述一方面的半导体激光装置中，优选的是，第一半导体激光元件具有射出激 光的第一发光部，第二半导体激光元件具有分别射出波长相互不同的激光的第二发光部及 第三发光部，第二发光部配置在第三发光部与第一半导体激光元件的第一发光部之间，第 一半导体激光元件的第一发光部与第二半导体激光元件的第二发光部的距离为第二半导 体激光元件的第二发光部与第三发光部的距离以下的尺寸。如此构成时，能够进一步抑制 第一半导体激光元件的第一发光部与第二半导体激光元件的第二发光部及第三发光部的 距离变大的情况。在上述一方面的半导体激光装置中，也可以是，第二半导体激光元件的半导体基 板包括主面具有偏置角度的偏置基板，第二半导体激光元件的半导体基板的侧面是解理面 (劈開面)。在上述一方面的半导体激光装置中，也可以是，第一半导体激光元件包括氮化物 半导体基板。在上述一方面的半导体激光装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光装置，其特征在于，具备：第一半导体激光元件；第二半导体激光元件，其与所述第一半导体激光元件相邻配置，且是单片型的多波长半导体激光元件；搭载部件，其通过下连接方式搭载所述第一半导体激光元件及所述第二半导体激光元件，所述第二半导体激光元件包括半导体基板，所述第二半导体激光元件的半导体基板的侧面中的与所述第一半导体激光元件相对置的侧面相对于所述半导体基板的主面的法线方向倾斜成随着离开所述搭载部件而与所述第一半导体激光元件的距离变大。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：谷川巧，清水源，三桥大树，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]