【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种液晶显示(LCD)设备及其制造方法，尤其涉及一种使用基于无定型氧化锌的半导体作为有源层的LCD设备及其制造方法。
技术介绍
近来，随着信息显示变得更加有吸引力且对使用便携式信息媒体的需求增加，对替代作为现有显示设备的阴极射线管(CRT)的轻薄平板显示器(FPD)的研究和商业化已得到广泛加强。尤其是，在FPD之中，液晶显示(LCD)设备通过使用液晶的光学各向异性特性来显示图像。LCD设备表现出出色的分辨率、颜色呈现特性、图像质量等，从而它们广泛应用于膝上型计算机、桌上显示器等。LCD设备包括滤色器基板、阵列基板和夹在滤色器基板与阵列基板之间的液晶层。在LCD设备中普遍使用的有源矩阵(AM)驱动方法是一种通过使用无定型硅薄膜晶体管(a-Si TFT)作为开关器件来驱动像素部分中的液晶分子的方法。之后，将参照图1详细描述现有LCD设备的结构。图1是示意性显示现有LCD设备的分解透视图。如图1中所示，LCD设备包括滤色器基板5、阵列基板10和夹在滤色器基板5与阵列基板10之间的液晶层30。滤色器基板5设置有具有用于呈现红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)...
【技术保护点】
一种制造液晶显示设备的方法，包括：在阵列基板上形成栅极电极和栅极线；在其上形成有所述栅极电极和所述栅极线的所述阵列基板上形成栅极绝缘层；在其上形成有所述栅极绝缘层的所述栅极电极上形成有源层，所述有源层由基于无定型氧化锌的半导体形成；在所述有源层上以类“Ｈ”的形状形成蚀刻阻挡层，所示蚀刻阻挡层遮掩除了接触区域之外的所述有源层；在所述有源层上形成源极和漏极电极，所述源极和漏极电极与所述有源层的所述接触区域电连接，并形成数据线，该数据线通过与所述栅极线相交来限定像素区域；在其上形成有所述源极和漏极电极以及所述数据线的所述阵列基板上形成钝化层；通过移除所述钝化层的部分区域，形成用于...
【技术特征摘要】
KR 2009-11-10 10-2009-01082251.一种制造液晶显示设备的方法，包括：在阵列基板上形成栅极电极和栅极线；在其上形成有所述栅极电极和所述栅极线的所述阵列基板上形成栅极绝缘层；在其上形成有所述栅极绝缘层的所述栅极电极上形成有源层，所述有源层由基于无定型氧化锌的半导体形成；在所述有源层上以类似“H”的形状形成蚀刻阻挡层，所示蚀刻阻挡层遮掩除了接触区域之外的所述有源层；在所述有源层上形成源极和漏极电极，所述源极和漏极电极与所述有源层的所述接触区域电连接，并形成数据线，该数据线通过与所述栅极线相交来限定像素区域；在其上形成有所述源极和漏极电极以及所述数据线的所述阵列基板上形成钝化层；通过移除所述钝化层的部分区域，形成用于暴露部分所述漏极电极的接触孔；形成像素电极，所述像素电极通过所述接触孔与所述漏极电极电连接；和以面对的方式粘结所述阵列基板和滤色器基板。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻阻挡层由绝缘层形成，所述绝缘层包括氧化硅和氮化硅。3.根据权利要求2所述的方法，进一步包括在位于所述栅极线与所述数据线之间的相交部分上的栅极线上形成半导体图案，所述半导体图案由所述基于无定型氧化锌的半导体形成。4.根据权利要求3所述的方法，进一步包括在所述半导体图案上形成由所述绝缘层形成的绝缘层图案，所述绝缘层图案遮掩所述半导体图案和所述栅极线。5.根据权利要求1所述的方法，其中通过蚀刻所述蚀刻阻挡层的上方和下方的中央部分以提供在所述有源层与所述源极和漏极电极之间的电连接，以类似“H”的形状形成所述蚀刻阻挡层。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述有源层的暴露出的接触区域经历表面处理或热处理，以降低电阻。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述有源层由a-IGZO半导体形成。8.根据权利要求1所述的方法，其中在相对于DC或RF溅射的沉积速度在1到/秒的范围内且在溅射过程中反应气体中氧气浓度在1到40％范围内的条件下形成所...
【专利技术属性】
技术研发人员：裵钟旭，徐铉植，康任局，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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