本发明专利技术提供光电装置的制造方法，包括以下步骤：准备形成有沟槽的基板；在沟槽之间区域形成第一电极层和辅助电极层，其中，辅助电极层与第一电极层的部分区域相接触并位于第一电极层的上或下部，且其电阻小于第一电极层电阻；在第一电极层或辅助电极层上形成光电转换层；将第二导电性物质倾斜沉积在光电转换层上以形成第二电极层；对形成于沟槽内部的光电转换层进行蚀刻以使第一电极层或辅助电极层暴露；将第三导电性物质倾斜沉积在第二电极层上以形成导电层，以使第一电极层或辅助电极层与第二电极层在沟槽内部相电连接，其中，第一电极层或辅助电极层形成于所述区域中通过光产生电的一个区域，而第二电极层形成于通过光产生电的另一个区域。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
通常，光电装置是指利用半导体性质将太阳光转换成电能的元件，实质上其由 单元电池构成。各个电源电池以串联连接的方式相电连接而被模块化，因此可以向外部 提供较高的电压。该光电装置根据其所使用的材料大致分为硅系光电装置、化合物系光电装和有 机物系光电装置。其中，硅系光电装置根据半导体相(phase)分为单晶(single crystalline) 娃、多晶(polycrystalline)娃禾口非晶(amorphous)娃。另外，光电装置根据半导体的厚度分为块(基板)型光电装置和薄膜型光电装 置，薄膜型光电装置是半导体层厚度为数十μm 数μ m以下的光电装置。在硅系光电 装置中单晶硅和多晶硅光电装置属于块型光电装置而非晶硅光电装置属于薄膜型光电装置。另一方面，化合物系光电装置被分为III-V族的GaAs (Gallium Arsenide)禾口 InP (Indium Phosphide)等的块型光电装置和 II-VI 族的 CdTe (Cadmium Telluride)禾口 I-III-VI族的CulnSe2 (CIS, Copper Indium Diselenide)等的薄膜型光电装置，有机物系光电装置大致分为有机分子型和有机无机复合型。除此之外具有染料敏化型光电装置，这 些均属于薄膜型光电装置。这样的光电装置需要减少无效区域且增加有效区域来提高光电转换率。而且， 需要提供光电装置所需大小的电压。
技术实现思路
本专利技术的光电装置的制造方法，其特征在于，该制造方法包括以下步骤准备 形成有沟槽的基板；在所述沟槽之间的区域上形成第一电极层或辅助电极层，其中， 所述辅助电极层的电阻小于所述第一电极层的电阻且与所述第一电极层的部分区域相接 触，并位于所述第一电极层的上部或下部；在所述第一电极层或所述辅助电极层上形成 光电转换层；将第二导电性物质倾斜沉积在所述光电转换层上以形成第二电极层；对形 成于所述沟槽内部的光电转换层进行蚀刻以使所述第一电极层和所述辅助电极层暴露； 将第三导电性物质倾斜沉积在所述第二电极层上以形成导电层，以使所述第一电极层或 所述辅助电极层与所述第二电极层在所述沟槽内部相电连接，其中，所述第一电极层或 所述辅助电极层形成于所述区域中通过光而产生电流的一个区域，而所述第二电极层形 成于通过光而产生电流的另一个区域。本专利技术的另一种光电装置的制造方法，其特征在于，该制造方法包括以下步 骤在基板上形成具有规定厚度和宽度的第一电极层；将电阻小于所述第一电极层的辅 助电极层形成在所述第一电极层的上部或下部，以使与所述第一电极层接触；在所述第一电极层或所述辅助电极层的区域、在相邻的所述第一电极层之间的区域上形成光电转 换层；将第二导电性物质倾斜沉积在所述光电转换层上以形成第二电极层；对所述光电 转换层进行蚀刻，以使位于相邻的所述第二电极层之间的所述辅助电极层暴露；将第三 导电性物质倾斜沉积在所述第二电极层上以形成导电层，以使形成于所述相邻第一电极 层的一个区域上的所述辅助电极层与形成于另一个第一电极层区域上的所述第二电极层 相电连接。本专利技术的光电装置，其特征在于，该光电装置包括 基板，形成有沟槽；第一电极层形成于所述沟槽之间的区域；辅助电极层，形 成于所述沟槽之间的区域上且电阻小于所述第一电极层的电阻，其位于所述第一电极层 的上部或下部以使所述辅助电极层与所述第一电极层的部分区域接触；光电转换层，位 于所述第一电极层或所述辅助电极层上；第二电极层，位于所述光电转换层上；以及导 电层，其使所述第一电极层或所述辅助电极层与所述第二电极层在所述沟槽内部相电连 接，其中，所述第一电极层或所述辅助电极层形成于所述区域中通过光而产生电流的一 个区域，而所述第二电极层形成于通过光而产生电流的另一个区域。本专利技术的另一种光电装置，其特征在于，该光电装置包括基板；第一电极层，位于所述基板上且具有规定的厚度和宽度；辅助电极层，其电阻 小于所述第一电极层的电阻，且位于所述第一电极层的上部或下部以使其与所述第一电 极层接触；光电转换层，位于所述第一电极层或所述辅助电极层上，且位于所述相邻的 第一电极层之间的区域；第二电极层，位于所述光电转换层上；以及导电层，其使形成 于所述相邻第一电极层中的一个区域的所述辅助电极层与形成于另一个第一电极层区域 的所述第二电极层相电连接。附图说明图Ia至图In表示根据本专利技术第一实施例的光电装置的制造方法；图2a至图2η表示根据本专利技术第二实施例的光电装置的制造方法；图3a至图3j表示根据本专利技术第三实施例的光电装置的制造方法；图4a至图4j表示根据本专利技术第四实施例的光电装置的制造方法；图5a至图5k表示根据本专利技术第五实施例的光电装置的制造方法；图6a至图6k表示根据本专利技术第六实施例的光电装置的制造方法；图7a至图7k表示根据本专利技术第七实施例的光电装置的制造方法；图8a至图8k表示根据本专利技术第八实施例的光电装置的制造方法。具体实施例方式下面，参照附图对本专利技术的实施例进行详细说明。图Ia至图In表示根据本专利技术第一实施例的光电装置的制造方法。如图1所示，准备形成有沟槽101、102、103、104的基板100。基板100作为光一次性入射到的部分，可以使用光透射率优异的透明绝缘性材 质。例如，基板100可以为如钠钙玻璃或钢化玻璃等的玻璃基板、塑料基板或纳米复合体(nano composit)基板中的 一种。纳米复合体是纳米粒子以分散相的方式分散在分散介 质中的系。分散介质可以为有机溶剂、塑料、金属或陶瓷，纳米粒子可以为塑料、金属 或陶瓷。分散介质为有机溶剂时，通过热处理可以使有机溶剂消失只留下纳米粒子。沟槽101、102、103、104在熔融玻璃基板或塑料基板或纳米复合体基板等的 状态下，于被熔融的基板变硬之前通过压印(embossing)法可以形成为条纹状(stripe)。 而且沟槽101、102、103、104无需经过上述基板的熔融过程，也可以通过热压印 (hot-embossing)法来形成。另外，基板100也可以包括玻璃和被覆于玻璃上的塑料。或者，基板100也可 以包括玻璃和形成于玻璃上的纳米复合体材质的薄膜。此时，使用热压印法可以在塑料 或纳米复合体材质的薄膜上形成沟槽。而且，在玻璃上被覆塑料或纳米复合体材质的薄 膜的过程中，通过压印法可以在塑料或纳米复合体材质的薄膜上形成有沟槽。此时，塑 料或纳米复合体材质可以包括热固性或UV固化性材质。在被覆于玻璃上的、塑料或纳米复合体材质的薄膜上形成有沟槽时，与直接在 玻璃上形成沟槽的情况相比，能够容易地形成沟槽。另外，沟槽101、102、103、104不仅通过压印或热压印法来形成，也可以通过 湿式蚀刻、干式时刻、磨削或切削等机械加工来形成，也可以通过激光划线等光学加工 来形成。上述的基板材质和沟槽形成方法均可适用于后述的实施例。如图Ia所示，将第一导电性物质以Θ 1的角度倾斜沉积在基板100上(ODl)以 形成第一电极层110。由此根据沉积的平直性，第一导电性物质被沉积在基板100的各沟 槽101、102、103、104的部分底面和一个侧面上、在各沟槽之间的基板100区域上而形 成第一导电层110。S卩，根据形成于本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种光电装置的制造方法，其特征在于，该制造方法包括以下步骤：准备形成有沟槽（１０１、１０２、１０３、１０４、３０１、３０２、３０３、３０４、５０１、５０２）的基板（１００、３００、５００）；在所述沟槽之间的区域上形成第一电极层（１１０、３１０、５１０）和辅助电极层（１２０、３２０、５２０），其中，所述辅助电极层（１２０、３２０、５２０）的电阻小于所述第一电极层的电阻且与所述第一电极层的部分区域相接触，并位于所述第一电极层的上部或下部；在所述第一电极层或所述辅助电极层上形成光电转换层（１３０、３３０、５３０）；将第二导电性物质倾斜沉积在所述光电转换层上以形成第二电极层（１４０、３４０、５４０）；对形成于所述沟槽内部的光电转换层进行蚀刻以使所述第一电极层或所述辅助电极层暴露；将第三导电性物质倾斜沉积在所述第二电极层上以形成导电层（１６０、３５０、５５０），以使所述第一电极层或所述辅助电极层与所述第二电极层在所述沟槽内部相电连接，其中，所述第一电极层或所述辅助电极层形成于所述区域中通过光而产生电流的一个区域，而所述第二电极层形成于通过光而产生电流的另一个区域。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：林宏树，全振完，
申请(专利权)人：韩国铁钢株式会社，韩国科学技术院，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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