基于低压差调压器的低噪声ＣＭＯＳ压控振荡电路制造技术

本发明专利技术提供了一种电感电容压控振荡电路，由低压差调压器、并联电容电感噪声滤波器以及互补交叉耦合结构的电感电容压控振荡器构成，其中，所述低压差调压器由误差放大器、ＭＯＳ管、第一电阻和第二电阻构成，所述ＭＯＳ管的栅极、源极、漏极分别与所述误差放大器的输出端、电源、第一电阻Ｒ１的一端相连，并从第ＭＯＳ管的漏极引出低压差调压器的输出端，第一电阻的另一端和第二电阻互连后接到误差放大器正向输入端，第二电阻的一端和正向输入端相连，另一端接地线，所述噪声滤波器中还包括电感，电容，所述电感的一端和所述电容相连后接到共模端，其另一端和低压差调压器的输出端相连，所述电容的一端连到共模端，其另一端连到地线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种基于低压差调压器的低噪声CMOS压控振荡电路，确切说，涉及一 种基于低压差调压器的低噪声CMOS电感电容压控振荡电路，属于集成电路设计及信号处 理的

技术介绍
近年来随着射频集成电路的迅速发展，无线通讯技术逐步步入人们的日常生 活。其中超高频(Ultra High Frequency，简称UHF)无线射频识别(RadioFrequency Identification，简称RFID)技术由于其相对较远的传输距离和较快的传输速率得到广泛 的关注，尤其是在物流，目标跟踪等领域得到了广泛的应用。现今全球超高频射频识别系统的工作频率主要在860 960MHz之间，针对射频识 别系统的通信协议规范主要有欧洲的ETSI和北美的FCC两种规范。和其他无线通讯设备 一样，单片UHF RFID阅读器中射频前端采用锁相环提供本地振荡源。依据IEEE近年来关 于单片UHF RFID阅读器研究的相关报道显示，单片UHF RFID阅读器中锁相环的设计依然 面临着许多挑战，其相位噪声性能直接影响着阅读器中接收机的灵敏度和信噪比。压控振荡器是锁相环电路中的核心模块，主要产生射频前端所本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种电感电容压控振荡电路，其特征在于，由低压差调压器、并联电容电感噪声滤波器以及互补交叉耦合结构的电感电容压控振荡器构成，其中，所述低压差调压器由误差放大器（Ａ（ｓ））、ＭＯＳ管（Ｍ１５）、第一电阻（Ｒ１）和第二电阻（Ｒ２）构成，所述ＭＯＳ管（Ｍ１５）的栅极、源极、漏极分别与所述误差放大器的输出端（Ａｏｕｔ）、电源（ＶＤＤ）、第一电阻Ｒ１的一端相连，并从第ＭＯＳ管（Ｍ１５）的漏极引出低压差调压器的输出端，第一电阻（Ｒ１）的另一端和第二电阻（Ｒ２）互连后接到误差放大器正向输入端（ＦＢ），第二电阻（Ｒ２）的一端和正向输入端（ＦＢ）相连，另一端接地线（ＧＮＤ），所述噪声滤波器中还包括电感（Ｌｆ）...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何伟，许帅，赖宗声，马聪，黄飞，任旭，张润曦，石春琦，
申请(专利权)人：华东师范大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]