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产生磁性偏置场的多层薄膜结构制造技术

技术编号:6248898 阅读:185 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及一种产生磁性偏置场的多层薄膜结构。其包括种子层与保护层;在种子层与保护层间可以设置至少一层磁性被钉扎层、至少一层非磁性钉扎层或是设置硬磁层;所述非磁性钉扎层为磁性被钉扎层提供磁性钉扎场,所述磁性钉扎场的方向与磁性偏置场的方向相同,磁性钉扎场能够保持磁性偏置场方向的稳定;当种子层与保护层间设置硬磁层时,种子层与保护层的外周面上缠绕有电流导线,电流导线在通入电流时,能够对硬磁层产生的磁性偏置场进行校正。本实用新型专利技术能够在受到较大外磁场干扰,并在外磁场撤掉后,所产生的磁性偏置场可以恢复,从而使磁性传感器系统可以正常工作,且没有功耗方面的损失。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种薄膜结构,尤其是一种产生磁性偏置场的多层薄膜结构,具 体地说是一种用于磁性传感器的设计和制备中,提高磁性传感器的精度和线性度的薄膜结 构。
技术介绍
磁性偏置场技术在磁性传感器的设计和制备中得到广泛的应用,它的主要功能是 降低磁性传感器的噪声和磁滞,提高磁性传感器的精度和对称性等(在计算机硬盘中磁头 的应用),还能够起到初始化磁性传感器的作用(在AMR电子罗盘芯片中的应用)。在计算机硬盘磁头芯片的读头部分中,所采用的磁性偏置场是由一层硬磁薄膜材 料产生的,这层硬磁薄膜材料具有较高的骄顽力和较高的剩磁,它所产生的偏置场的大小 可以由调解厚度和剩磁来控制。在计算机硬盘读头芯片部分,所述硬磁薄膜上还设置有两 层磁性屏蔽层,所述磁性屏蔽层保护了产生磁性偏置场的硬磁材料不受外场的干扰。但是, 在其它磁性传感器的设计、制备及应用中,由于无法提供同硬盘相同的磁性屏蔽层,如果采 用这种磁性偏置场技术,在遇到较大的外磁场干扰的情况下(外磁场大于硬磁薄膜的骄顽 力),硬磁薄膜所产生偏置场的方向会发生变化,从而不可恢复的改变了磁性的特性。在AMR电子罗盘芯片的应用中,所采用的磁性偏置场是由本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种产生磁性偏置场的多层薄膜结构,其特征是,包括:  种子层;  至少一层磁性被钉扎层,所述磁性被钉扎层产生磁性偏置场;  至少一层非磁性钉扎层,所述非磁性钉扎层为磁性被钉扎层提供磁性钉扎场,所述磁性钉扎场的方向与磁性偏置场的方向相同,磁性钉扎场能够保持磁性偏置场方向的稳定。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王建国薛松生
申请(专利权)人:王建国薛松生
类型:实用新型
国别省市:32[中国|江苏]

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