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本实用新型涉及一种产生磁性偏置场的多层薄膜结构。其包括种子层与保护层；在种子层与保护层间可以设置至少一层磁性被钉扎层、至少一层非磁性钉扎层或是设置硬磁层；所述非磁性钉扎层为磁性被钉扎层提供磁性钉扎场，所述磁性钉扎场的方向与磁性偏置场的方向相...
该专利属于王建国;薛松生所有，仅供学习研究参考，未经过王建国;薛松生授权不得商用。

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