【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种防止电流反灌的电路,尤其涉及一种用于DC-DC同步整流变换器在并机起机时防止电流反灌的电路。
技术介绍
随着变换器负载功率的增大,系统要求变换器并机运行以便提供更大的输出功率,变换器之间均分负载电流,以减小每一个变换器的电流应力。同时,并机运行的变换器易于实现供电系统冗余备份和热插拔,以提高系统的可靠性。目前,变换器并机的方法一般是在变换器的输出端加隔离二极管或者隔离MOSFET简单的来实现输出并机和冗余备份,该方法简单可靠,得到应用广泛,电路图详见图10和图11,其中图10为采用二极管隔离的并机电路原理图,图11为采用MOS管隔离的并机电路原理图,但以上两种方法存在明显的缺点:显然在低压大电流变换器中,隔离二极管压降作用明显,损耗很大,该方法难于用于低压大电流的变换器的并机运行。即便是使用MOS管代替隔离二极管,仍然有一定的功耗,使变换器效率下降,且成本增大,控制电路复杂,可靠性降低。可见在低压大电流变换器中使用隔离二极管或MOS管来实现并机和冗余备份不但成本高控制复杂,而且可靠性和可行性都差。同时随着计算机、通信技术的发展,低压大电流开关电源的广泛应用,对变换器要求越来越高,大功率,小尺寸,高效率成为变换器的发展趋势,而同步整流技术的出现恰恰顺应了这一发展趋势,它能大大提高变换器的效率,减小热应力对电源的损坏,提高电源的可靠性。因此希望有一种变换器能够很好的实现两种功能;第一变换器并机运行时输出端不需要采用隔离器件隔离;第二变换器采用同步整流技术。这样既能够满足变换器高效率的要求同时又能够满足变换器对并机要求。附图12为同步整流变换器并 ...
【技术保护点】
一种防止同步整流变换器并机时电流反灌的电路,包括同步整流驱动电路、供电控制电路、取样电路和电压比较电路,所述取样电路输出电压信号至所述电压比较电路的第一输入端,所述供电控制电路接收来自电压比较电路的输出信号并控制所述同步整流驱动电路,所述供电控制电路还与所述同步整流驱动电路的同步整流管的控制端连接,其特征是:所述取样电路与所述变换器中第二变换器的变压器的原边或副边或输出电感耦合,所述电压比较电路的第二输入端接收所述第一变换器的输出电压。
【技术特征摘要】
1.一种防止同步整流变换器并机时电流反灌的电路,包括同步整流驱动电路、供电控制电路、取样电路和电压比较电路,所述取样电路输出电压信号至所述电压比较电路的第一输入端,所述供电控制电路接收来自电压比较电路的输出信号并控制所述同步整流驱动电路,所述供电控制电路还与所述同步整流驱动电路的同步整流管的控制端连接,其特征是:所述取样电路与所述变换器中第二变换器的变压器的原边或副边或输出电感耦合,所述电压比较电路的第二输入端接收所述第一变换器的输出电压。2.如权利要求1所述的一种防止同步整流变换器并机时电流反灌的电路,其特征是:所述取样电路包括电阻R1、电容C1、电感L1-B和二极管D1,所述电感L1-B和二极管D1的正极串联连接后与所述电阻R1、电容C1并联连接。3.如权利要求1或2所述的一种防止同步整流变换器并机时电流反灌的电路,其特征是:所述同步整流驱动电路是同步整流外部驱动电路或同步整流自驱动电路;所述电压比较电路包括依次串联连接的电阻R5、肖特二极管Z1和二极管D2,还包括三极管Q1,所述二极管D2的阳极与所述肖特二极管Z1的阳极连接,阴极接收来自取样电路的输出电压信号,所述电阻R5的另一端连接所述第一变换器的电压输出端,所述三极管Q1的集电极连接所述供电控制电路的输入端、发射极连接所述第一变换器的电压输出端、基极连接所述电阻R5和肖特二极管Z1的公共端。4.如权利要求1或2所述的一种防止同步整流变换器并机时电流反灌的电路,其特征是:所述同步整流驱动电路是同步整流外部驱动电路,包括驱动变压器T2,二极管(D3、D4),MOS场效应管(Q2、Q3、Q4),电阻(R2、R3、R6)以及电容C3;所述驱动变压器T2的一端与二极管D3的阳极和MOS场效应管Q4的栅极连接,另一端与二极管D4的阳极和MOS场效应管Q2的栅极连接;所述二极管(D3、D4)的阴极、电容C3、电阻(R3、R6)的一端连接在一起;所述MOS场效应管Q4的漏极与电阻R3的另一端连接;所述MOS场效应管Q2的漏极与电阻R6的另一端连接;所述MOS场效应管Q3的漏极与电容C3的另一端连接,所述MOS场效应管Q3的栅极与电阻R2连接;所述驱动变压器T2的中间端、MOS场效应管(Q2、Q3、Q4)的源极和电阻R2的另一端分别与地线连接。5.如权利要求3所述的一种防止同步整流变换器并机时电流反灌的电路,其特征是,所述同步整流外部驱动电路包括:驱动变压器T2,二极管(D3、D4),MOS场效应管(Q2、Q3、Q4),电阻(R2、R3、R6)以及电容C3;所述驱动变压器T2的一端与二极管D3的阳极和MOS场效应管Q4的栅极连接,另一端与二极管D4的阳极和MOS场效应管Q2的栅极连接;所述二极管(D3、D4)的阴极、电容C3、电阻(R3、R6)的一端连接在一起;所述MOS场效...
【专利技术属性】
技术研发人员:钟启豪,李战伟,王智勇,汤波兵,
申请(专利权)人:深圳市核达中远通电源技术有限公司,
类型:实用新型
国别省市:94[中国|深圳]
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