一种MOS管控制正反向线圈的电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种MOS管控制正反向线圈的电路，属于电气技术领域，包括动作信号输入端、恢复信号输入端以及线圈M，动作信号输入端通过第一三极管Q1连接第一PMOS管P1和第一NMOS管N1，第一PMOS管P1和第一NMOS管N1连接线圈正极，恢复信号输入端通过第二三极管Q2连接第二PMOS管P2和第二NMOS管N2，第二PMOS管P2和第二NMOS管N2连接线圈负极。本实用新型专利技术通过P型和N型MOS管组成的全桥实现了电磁阀、电子锁、接触器等器件的正反向脉冲控制，具有电路简单、功耗低、成本低、安装方便的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种MOS管控制正反向线圈的电路
本技术涉及电气
，具体的说，是涉及一种MOS管控制正反向线圈的电路。
技术介绍
在高压直流充电桩领域中，对如电磁阀、电子锁、接触器等器件的控制中常采用的控制方法为：加正向大电流脉冲动作，加反向大电流脉冲恢复。目前线圈正向加电动作、反向加电恢复的控制电路，大多使用继电器触点的切换。上述电路存在的不足是：电路功耗大、电路复杂、电路体积大、成本高等，并且继电器的触点切换过程可靠性差，不能实现继电器的精确控制。上述缺陷，值得改进。
技术实现思路
为了克服现有的技术的不足，本技术提供一种MOS管控制正反向线圈的电路。本技术技术方案如下所述：一种MOS管控制正反向线圈的电路，其特征在于，包括电源VCC、动作信号输入端、恢复信号输入端以及线圈M，动作信号输入端连接第一三极管Q1的基极，所述第一三极管Q1的发射极接地，其集电极分别连接所述电源VCC、第一PMOS管P1的栅极以及第一NMOS管N1的栅极，所述第一PMOS管P1的漏极连接所述电源VCC，所述第一NMOS管N1的源极接地，所述第一PMOS管P1的源极和所述第一NMOS管N1的漏极均与所述线圈M的正极连接，恢复信号输入端连接第二三极管Q2的基极，所述第二三极管Q2的发射极接地，其集电极分别连接所述电源VCC、第二PMOS管P2的栅极以及第二NMOS管N2的栅极，所述第二PMOS管P2的漏极连接所述电源VCC，所述第二NMOS管N2的源极接地，所述第二PMOS管P2的源极和所述第二NMOS管N2的漏极均与所述线圈M的负极连接。根据上述方案的本技术，其特征在于，所述第一三极管Q1的集电极连接第一二极管D1的阴极，所述第一二极管D1的阳极分别连接第一NMOS管N1的栅极和第三电阻R3，所述第三电阻R3的另一端连接所述电源VCC；所述第二三极管Q2的集电极连接第四二极管D4的阴极，所述第四二极管D4的阳极分别连接第二NMOS管N2的栅极和第七电阻R7，所述第七电阻R7的另一端连接所述电源VCC。根据上述方案的本技术，其特征在于，所述第一三极管Q1的集电极连接第二二极管D2的阴极，所述第二二极管D2的阳极连接第二电阻R2，所述第二电阻R2的另一端分别连接第一PMOS管P1的栅极和第一电阻R1，所述第一电阻R1的另一端连接所述电源VCC；所述第二三极管Q2的集电极连接第三二极管D3的阴极，所述第三二极管D3的阳极连接第六电阻R6，所述第六电阻R6的另一端分别连接第二PMOS管P2的栅极和第五电阻R5，所述第五电阻R5的另一端连接所述电源VCC。根据上述方案的本技术，其特征在于，所述第一PMOS管P1的栅极与所述电源VCC之间设有第一电容C1。根据上述方案的本技术，其特征在于，所述第二PMOS管P2的栅极与所述电源VCC之间设有第二电容C2。根据上述方案的本技术，其特征在于，所述动作信号输入端与所述第一三极管Q1的基极之间设有第四电阻R4，所述恢复信号输入端与所述第二三极管Q2的基极之间设有第八电阻R8。根据上述方案的本技术，其特征在于，所述动作信号输入端和所述恢复信号输入端输入信号的高电平持续时间均为300ms-2s。根据上述方案的本技术，其有益效果在于，本技术通过P型和N型MOS管组成的全桥，可以方便地完成线圈在动作时通过正向电流，恢复时通过反向电流，实现电磁阀、电子锁、接触器等器件的正反向脉冲控制。本技术具有电路简单、功耗低、成本低、安装方便的特点，全部电路的器件不超过20个，电路功耗小，所有器件都可以使用贴片器件，整个电路体积极小，可以加工成厚膜模块或电路组件，方便器件的安装、焊装。附图说明图1为本技术的结构示意图。具体实施方式下面结合附图以及实施方式对本技术进行进一步的描述：如图1所示，一种MOS管控制正反向线圈的电路，包括电源VCC、动作信号输入端、恢复信号输入端以及线圈M，动作信号输入端和恢复信号输入端输入信号的高电平持续时间均为300ms-2s。动作信号输入端通过第四电阻R4连接第一三极管Q1的基极，第一三极管Q1的发射极接地，其集电极连接第一二极管D1的阴极，第一二极管D1的阳极分别连接第一NMOS管N1的栅极和第三电阻R3，第三电阻R3的另一端连接电源VCC，第一NMOS管N1的源极接地；第一三极管Q1的集电极还连接第一二极管D1的阴极，第一二极管D1的阳极分别连接第一NMOS管N1的栅极和第三电阻R3，第三电阻R3的另一端连接电源VCC，第一PMOS管P1的漏极连接电源VCC；第一PMOS管P1的源极和第一NMOS管N1的漏极均与线圈M的正极连接。恢复信号输入端第八电阻R8连接第二三极管Q2的基极，第二三极管Q2的发射极接地，其集电极连接第四二极管D4的阴极，第四二极管D4的阳极分别连接第二NMOS管N2的栅极和第七电阻R7，第七电阻R7的另一端连接电源VCC，第二NMOS管N2的源极接地；第二三极管Q2的集电极还连接第三二极管D3的阴极，第三二极管D3的阳极连接第六电阻R6，第六电阻R6的另一端分别连接第二PMOS管P2的栅极和第五电阻R5，第五电阻R5的另一端连接电源VCC，第二PMOS管P2的漏极连接电源VCC；第二PMOS管P2的源极和第二NMOS管N2的漏极均与线圈M的负极连接。优选的，第一PMOS管P1的栅极与电源VCC之间设有第一电容C1，第二PMOS管P2的栅极与电源VCC之间设有第二电容C2。电容C1、C2的作用是延时，防止动作、恢复时，状态翻转的临界点发生桥臂同时导通的发生。本技术的工作原理为：“动作信号”脉冲输入时：在第四电阻R4端加入高电平持续时间300mS-2S的“动作信号”脉冲。在其高电平期间，第一三极管Q1导通、第一PMOS管P1导通、第一PMOS管P2断开，第二NMOS管N2导通、第一NMOS管N1断开。电流方向：电源VCC-第一PMOS管P1-线圈M–第二NMOS管N2–地（图中黑色实线箭头所示的电流方向）。即：在“动作信号”的高电平期间，线圈M正向得电，动作。“恢复信号”脉冲输入时：在第八电阻R8端加入高电平持续时间300mS-2S的“恢复信号”脉冲。在其高电平期间，第二三极管Q2导通、第二PMOS管P2导通、第一PMOS管P1断开，第一NMOS管N1导通、第二NMOS管N2断开。电流方向：电源VCC–第二PMOS管P2-线圈M–第一NMOS管N1–地（图中虚线箭头所示的电流方向。即：在“恢复信号”的高电平期间，线圈M反向得电。在无“动作信号”及“恢复信号”时，第一PMOS管P1和第二PMOS管P2断开，线圈M不得电，可以有效防止桥臂同时导通，发生短路。当异常情况下，由于驱动信号错误，“动作信号”和“恢复信号”同时发出，第一NMOS管N1和第二NMOS管N2断开，线圈M不得电，可以可以有效防止桥臂同时导通，发生短路，并保证线圈M的工作状态正确。应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本技术所附权利要求的保护范围。上面结合附图对本技术专利进行了示例性的描述，显然本技术专利的实现并不受上述方式的限制，只要采用了本技术专利的方法构思和技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MOS管控制正反向线圈的电路，其特征在于，包括电源VCC、动作信号输入端、恢复信号输入端以及线圈M，动作信号输入端连接第一三极管Q1的基极，所述第一三极管Q1的发射极接地，其集电极分别连接所述电源VCC、第一PMOS管P1的栅极以及第一NMOS管N1的栅极，所述第一PMOS管P1的漏极连接所述电源VCC，所述第一NMOS管N1的源极接地，所述第一PMOS管P1的源极和所述第一NMOS管N1的漏极均与所述线圈M的正极连接，恢复信号输入端连接第二三极管Q2的基极，所述第二三极管Q2的发射极接地，其集电极分别连接所述电源VCC、第二PMOS管P2的栅极以及第二NMOS管N2的栅极，所述第二PMOS管P2的漏极连接所述电源VCC，所述第二NMOS管N2的源极接地，所述第二PMOS管P2的源极和所述第二NMOS管N2的漏极均与所述线圈M的负极连接。

【技术特征摘要】
1.一种MOS管控制正反向线圈的电路，其特征在于，包括电源VCC、动作信号输入端、恢复信号输入端以及线圈M，动作信号输入端连接第一三极管Q1的基极，所述第一三极管Q1的发射极接地，其集电极分别连接所述电源VCC、第一PMOS管P1的栅极以及第一NMOS管N1的栅极，所述第一PMOS管P1的漏极连接所述电源VCC，所述第一NMOS管N1的源极接地，所述第一PMOS管P1的源极和所述第一NMOS管N1的漏极均与所述线圈M的正极连接，恢复信号输入端连接第二三极管Q2的基极，所述第二三极管Q2的发射极接地，其集电极分别连接所述电源VCC、第二PMOS管P2的栅极以及第二NMOS管N2的栅极，所述第二PMOS管P2的漏极连接所述电源VCC，所述第二NMOS管N2的源极接地，所述第二PMOS管P2的源极和所述第二NMOS管N2的漏极均与所述线圈M的负极连接。2.根据权利要求1所述的MOS管控制正反向线圈的电路，其特征在于，所述第一三极管Q1的集电极连接第一二极管D1的阴极，所述第一二极管D1的阳极分别连接第一NMOS管N1的栅极和第三电阻R3，所述第三电阻R3的另一端连接所述电源VCC；所述第二三极管Q2的集电极连接第四二极管D4的阴极，所述第四二极管D4的阳极分别连接第二NMOS管N2的栅极和第七电阻R7，所述第七电阻R...

【专利技术属性】
技术研发人员：张建峰，李战伟，
申请(专利权)人：深圳市核达中远通电源技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44