【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及的是一种纳米材料
的方法，具体是一种。
技术介绍
太阳能是取之不尽的清洁能源，对地球提供的能量是巨大的，每年3xlOJ，大约是 现今人类每年消耗能量的1万倍。如果人类能以太阳能作为资源，那么不仅人类面临的能 源危机可以解决，而且伴随着以往能源消耗的生态环境危机亦可消除。自1%4年硅太阳能 电池开发以来，太阳能电池技术发展迅速。由于能源危机的加剧，人们对于可再生能源的兴 趣越来越浓，太阳能电池也进入了快速发展的阶段，也使得对太阳能电池材料成为了研究 焦点。其中铜铟硒合金由于具有能量转换效率高、大面积制备简单、性能稳定等良好的性 质，因此是一种很有发展前途的太阳能电池材料。铜铟硒薄膜太阳电池已经受到人们的普 遍重视，发展迅速，成为国际光伏界的研究热点。因此，当现在晶体硅电池产业面临的产能 过剩的局面和国际油价的进一步波动等因素都给铜铟硒薄膜太阳能电池的发展提供了大 量的空间。目前制备铜铟硒的方法很多，但其思路主要有两个一是直接蒸发Cu、In、Se三 种独立元素，使其气体化合制得铜铟硒；二是硒化铜铟合金，对该合金直接加元素％或在 H2Se气氛中加S...
【技术保护点】
１．一种铜铟硒纳米片的制备方法，其特征在于，采用两步溶剂热法：首先用聚四氟乙烯反应釜装载Ｖｃ、硒粉和ＤＭＦ，对硒粉进行加热还原；然后快速加入铜盐和铟盐并进行二次加热反应制备出铜铟硒纳米材料。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：袁艳萍，钱雪峰，沈杰，宰建陶，徐淼，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：31
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