应用于片外分离器件的自校准低噪声放大器制造技术

一种应用于片外分离器件的自校准低噪声放大器，该放大器包含电路连接的LC谐振腔、共源共栅管、负阻管、分频器和频率控制器，还包含控制开关、片内振荡器和片外电路，由LC谐振腔和负阻管组成压控振荡器，LC谐振腔通过控制开关的切换复用交互工作，使其作为低噪声放大器的负载使用，或者作为压控振荡器的一部分使用，片内振荡器产生固定频率f0，固定频率f0的大小通过调节片外电路内的电阻R和电容C来实现。本发明专利技术的频率可自动校准，不需要片外匹配网络，低噪声，高增益，参数稳定，可靠性高，电路结构简单，成本低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种应用于片外分离器件的自校准低噪声放大器。
技术介绍
图1是一个具有代表性的射频接收机系统。射频RF信号由天线I(Anterma)被接 收到信号通道中，通过匹配网络2(MatChing Network)输入到低噪声放大器3(LNA)里。经 过其放大后，射频RF信号由输出匹配网络《Matching Network)输入到接收机5 (Receiver IC)的单芯片进行下变频并作进一步的信号处理。在无线通讯领域，整个射频接收机系统的 噪声系数主要是由天线下面的低噪声放大器3 (LNA)所决定的。噪声系数越小，增益越高， 接收机的灵敏度就越高。在一个射频接收机系统里，片外分离器件的低噪声放大器3(LNA) 是常见的，在很多情况下，并没有被集成到射频单芯片里面去。目前这种现象的原因是，片 外分离器件的低噪声放大器(LNA)的性能较高。比起片内集成的低噪声放大器(LNA)，这种 片外专业的低噪声放大器(LNA)可以使用较昂贵和特殊的工艺制作，以达到较低的噪声系 数，同时具备较高的增益。这种片外分离器件的低噪声放大器3 (LNA)随工艺的变化相应 地要比CMOS工艺的LNA要本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种应用于片外分离器件的自校准低噪声放大器（１），其特征在于，该放大器包含电路连接的ＬＣ谐振腔（２）、共源共栅管（３）、负阻管（４）、分频器（５）和频率控制器（６），还包含控制开关（１０），该放大器还包含电路连接的片内振荡器（７）和片外电路（１１）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：倪文海，李进，徐文华，
申请(专利权)人：上海迦美信芯通讯技术有限公司，
类型：发明
国别省市：31