具有次级结构的中空球和花状氧化铟的简易制备方法及应用技术

本发明专利技术提供了一种新形貌的氧化铟的制备方法，属于氧化铟的合成和纳米材料技术领域。该方法以铟的无机盐溶液为铟源，采用N,N-二甲基甲酰胺（DMF）作为碱源，十二烷基磺酸钠（SDS）等阴离子表面活性剂作为添加剂，在不添加任何硬模板情况下，用水热合成制备出新型的具有次级结构的中空微球和花状的氧化铟，并且通过化学手段对次级结构的形貌进行了控制。本发明专利技术提供的制备方法工艺过程简单，易于推广，选用的试剂价格低廉且环境友好，适合低成本、大规模、绿色生产需要。

Simple preparation method and application of hollow ball and flower shaped indium oxide with secondary structure

The invention provides a new method for preparing indium oxide, belonging to the technical field of synthesis of indium oxide and nanometer material. This method takes the inorganic salt solution of indium indium source, using N two, N- dimethyl formamide (DMF) as the alkali source, twelve sodium dodecyl sulfate (SDS) and anionic surfactant as additives, without adding any hard template under hydrothermal synthesis were prepared with secondary indium oxide the structure of the hollow microspheres and flower shaped, and the control on the morphology of secondary structures by chemical methods. The preparation method has the advantages of simple process, easy popularization, low reagent price and environmental friendliness, and is suitable for low cost, large-scale and green production needs.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制备具有次级结构的中空球和花状氧化铟的简易方法及其应用， 属于微米/纳米材料控制合成及应用领域。
技术介绍
众所周知，无机微米/纳米材料的性质与颗粒的大小以及形状有关。目前大量工 作集中于不同形状、大小、维度以及结构的微米/纳米材料的控制合成。尤其是对由纳米结 构单元，比如纳米颗粒、纳米棒/线/带或者纳米片构建而成的具有级次或者复杂结构的 3D微米/纳米结构材料的研究己经成为材料的研究热点之一，这是因为材料的次级结构通 常会产生更加优异的整体协同性质，不仅会具有结构单元的特性，还可能具有纳米结构单 元组合产生的耦合效应、协同效应等从而使这些材料展示了不同于其构筑单元及块体材料 的独特的物理和化学性质，这为进一步设计设计新奇的纳米/微米尺度传感器、器件提供 了坚实的基础。最近，人们己经报道了许多具有不同形貌的级次结构的纳米/微米材料，并 阐述了它们在催化、能量转化和存储、环境净化、传感器以及生物方面的潜在应用。(a)H. Jiang, J. Q. Hu, F. Gu, W. Shao and C. Ζ. Li, Chem. Commun. , 2009, 3618,本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．新型具有次级结构的中空球状和花状氧化铟，其特征在于所述的中空球状其形貌呈比较规则的球形，外直径１．５～３μｍ，内部中空，表面次级结构呈边长１００～５００ｎｍ的立方；所述的花状其特征在于由多层厚度１００～３００ｎｍ间的片层簇拥而成，直径８～２０μｍ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吕弋，蔡苹杨，宋红杰，张立春，
申请(专利权)人：四川大学，
类型：发明
国别省市：90